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公开(公告)号：CN107039098A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611010091.2
申请日：2016-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开银纳米线的群、其制造方法、包括其的电导体和电子装置。所述电导体包括：基底；和设置在所述基底上并且包括多个银纳米线的导电层，其中所述银纳米线在其X射线衍射光谱中呈现归属于(111)晶面的主峰，且在高斯拟合之后的所述主峰的2θ半宽度(FWHM)小于约0.40度。
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公开(公告)号：CN107025953A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610991612.0
申请日：2016-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 示例性实施方式提供透明电极和包括其的电子器件，所述透明电极包括基底、形成于所述基底上并且包括由石墨烯或其衍生物形成的网状结构体的第一层、和形成于所述第一层上的第二层，其中石墨烯网状结构体包括多个孔并且所述第二层包括多个导电纳米线。
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公开(公告)号：CN117638205A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311108261.0
申请日：2023-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及负极‑固体电解质子组件、包括其的全固体二次电池、以及制备全固体二次电池的方法。用于全固体二次电池的负极‑固体电解质子组件包括：负极集流体，设置在所述负极集流体上的第一负极活性材料层，设置在所述第一负极活性材料层上且与所述负极集流体相对的中间层，及设置在所述中间层上且与所述第一负极活性材料层相对的固体电解质，其中所述第一负极活性材料层可包括式1的化合物和式2的化合物的混合物、式1的化合物和式2的化合物的复合物、或其组合，所述中间层包括第三金属材料、锂氧化物或其组合，所述第三金属材料包括第三金属氧化物、包含第三金属和锂的氧化物或其组合，和所述第三金属是第2至15族的元素：式1LixM1y，式2M2aNb。
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公开(公告)号：CN109390578B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201810418366.9
申请日：2018-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M10/0525 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及拓扑量子框架、包括其的复合负极活性材料、负极、锂电池、半导体和器件、及其制备方法。拓扑量子框架包括设置在不同的方向上且彼此连接的多个一维纳米结构体，其中所述多个一维纳米结构体的一维纳米结构体包括包含能够引入和脱出锂的金属的第一成分，和其中所述拓扑量子框架是多孔的。
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公开(公告)号：CN116137318A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211446397.8
申请日：2022-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/134 , H01M10/0562 , H01M10/052 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及负极‑固体电解质子组件、全固体二次电池和制备全固体二次电池的方法。用于全固体二次电池的负极‑固体电解质子组件，所述子组件包括：负极集流体；在所述集流体上的第一负极活性材料层；在所述第一负极活性材料层上的中间层；和在所述中间层上且在所述第一负极活性材料层对面的固体电解质，其中所述中间层包括复合物，所述复合物包括第一金属材料和锂离子导体，其中所述第一金属材料包括第一金属、包括所述第一金属和锂的合金、包括所述第一金属和锂的化合物、或其组合，其中所述第一负极活性材料层包括碳质负极活性材料和任选地第一负极活性材料，所述第一负极活性材料包括第二金属、准金属、或其组合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039098B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201611010091.2
申请日：2016-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开银纳米线的群、其制造方法、包括其的电导体和电子装置。所述电导体包括：基底；和设置在所述基底上并且包括多个银纳米线的导电层，其中所述银纳米线在其X射线衍射光谱中呈现归属于(111)晶面的主峰，且在高斯拟合之后的所述主峰的2θ半宽度(FWHM)小于约0.40度。
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公开(公告)号：CN109390578A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810418366.9
申请日：2018-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M10/0525 , B82Y40/00
CPC classification number: H01M4/364 , G01N27/127 , H01M4/044 , H01M4/0445 , H01M4/0461 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M4/58 , H01M4/5825 , H01M4/60 , H01M4/622 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M2004/021 , H01M2004/027 , B82Y40/00 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及拓扑量子框架、包括其的复合负极活性材料、负极、锂电池、半导体和器件、及其制备方法。拓扑量子框架包括设置在不同的方向上且彼此连接的多个一维纳米结构体，其中所述多个一维纳米结构体的一维纳米结构体包括包含能够引入和脱出锂的金属的第一成分，和其中所述拓扑量子框架是多孔的。
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公开(公告)号：CN109216651B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201810101352.4
申请日：2018-02-01
Abstract: 复合正极活性材料、包括其的正极和锂电池、以及制备所述复合正极活性材料的方法。所述复合正极活性材料具有：芯，所述芯包括多个一次颗粒、设置在所述多个一次颗粒的相邻一次颗粒之间的晶界，所述多个一次颗粒包括具有层状晶体结构的含镍的第一锂过渡金属氧化物；以及在所述芯上的壳，所述壳包括具有尖晶石晶体结构的第二锂过渡金属氧化物，其中所述晶界包括具有尖晶石晶体结构的第一成分。
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公开(公告)号：CN107025953B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201610991612.0
申请日：2016-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 示例性实施方式提供透明电极和包括其的电子器件，所述透明电极包括基底、形成于所述基底上并且包括由石墨烯或其衍生物形成的网状结构体的第一层、和形成于所述第一层上的第二层，其中石墨烯网状结构体包括多个孔并且所述第二层包括多个导电纳米线。
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公开(公告)号：CN109216651A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810101352.4
申请日：2018-02-01
CPC classification number: H01M4/525 , C01P2002/32 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , H01M4/0471 , H01M4/1391 , H01M4/366 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , H01M4/362 , H01M4/13 , H01M4/139
Abstract: 复合正极活性材料、包括其的正极和锂电池、以及制备所述复合正极活性材料的方法。所述复合正极活性材料具有：芯，所述芯包括多个一次颗粒、设置在所述多个一次颗粒的相邻一次颗粒之间的晶界，所述多个一次颗粒包括具有层状晶体结构的含镍的第一锂过渡金属氧化物；以及在所述芯上的壳，所述壳包括具有尖晶石晶体结构的第二锂过渡金属氧化物，其中所述晶界包括具有尖晶石晶体结构的第一成分。
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