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公开(公告)号：CN117497515A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310679995.8
申请日：2023-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L27/088
Abstract: 提供半导体器件。一种半导体器件包括：下导电图案，设置在基底上；上导电图案，设置在下导电图案上；以及第一插塞图案，设置在下导电图案与上导电图案之间，并且连接到下导电图案和上导电图案。第一插塞图案包括限定第一插塞凹槽的第一阻挡图案和填充第一插塞凹槽的第一插塞金属图案，并且第一插塞金属图案包括第一钼图案和设置在第一钼图案上的第一钨图案。
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公开(公告)号：CN108511526B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201810156564.2
申请日：2018-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括衬底上的有源柱。第一源极/漏极区设置在有源柱的顶端处并具有比有源柱更大的宽度。第一绝缘层设置在有源柱的侧壁上，第二绝缘层至少设置在第一源极/漏极区的底表面上。栅电极设置在第一绝缘层和第二绝缘层上。第二源极/漏极区在有源柱的底端处设置在衬底中。还描述了制造方法。
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公开(公告)号：CN114551444A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111392644.6
申请日：2021-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区以及在其间的场区；分别提供在第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案；分别提供在第一有源图案和第二有源图案上的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案；在第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案和在第二源极/漏极图案之间的第二沟道图案；以及栅电极，从第一沟道图案延伸到第二沟道图案以跨越场区。第一沟道图案和第二沟道图案中的每个可以包括堆叠为彼此间隔开的半导体图案。在场区上的栅电极的下部的宽度可以随着与衬底的顶表面的距离减小而减小。
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公开(公告)号：CN106206576B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201610366218.8
申请日：2016-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 提供了集成电路器件。器件可以包括从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域，并且第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域可以在其间限定凹陷。器件还可以包括在凹陷下部部分中的隔离层。隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的侧部延伸的第一应力衬里、沿着第二鳍形沟道区域的侧部延伸的第二应力衬里以及在第一应力衬里与第一鳍形沟道区域的侧部之间并且在第二应力衬里与第二鳍形沟道区域的侧部之间的绝缘衬里。器件可以进一步包括第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域的上部部分的表面上的栅极绝缘层以及在栅极绝缘层上的栅极电极层。
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公开(公告)号：CN105990446B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201610151295.1
申请日：2016-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件可包括：位于衬底上的场绝缘膜；第一鳍式图案，其形成在衬底上，并且从场绝缘膜的上表面向上突出；以及栅电极，其与场绝缘膜上的第一鳍式图案交叉。所述栅电极可包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于第一鳍式图案的一侧上并且包括栅电极的第一终端端部，所述第二部分位于第一鳍式图案的另一侧上。从衬底至所述第一部分的最下部的高度可以不同于从衬底至所述第二部分的最下部的高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105762148B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201511021210.X
申请日：2015-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及具有双硅化物的半导体器件及其制造方法。具有双硅化物的半导体器件包括位于衬底上的具有N型杂质的第一鳍和具有P型杂质的第二鳍。第一栅电极和第一源极/漏极区位于第一鳍上。第二栅电极和第二源极/漏极区位于第二鳍上。刻蚀停止层位于第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上。绝缘层位于刻蚀停止层上。连接至第一源极/漏极区的第一插件以及连接至第二源极/漏极区的第二插件被形成为穿过绝缘层和刻蚀停止层。第一金属硅化物层位于第一源极/漏极区中。第二金属硅化物层位于第二源极/漏极区中，第二金属硅化物层具有与第一金属硅化物层的材料不同的材料，并且具有比第一金属硅化物层的厚度更小的厚度。
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公开(公告)号：CN105895698B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201610023864.4
申请日：2016-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。
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公开(公告)号：CN107359200B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201710605943.0
申请日：2016-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线。第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。
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公开(公告)号：CN106024784B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201610149440.2
申请日：2016-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/762
Abstract: 提供了包括场效应晶体管的半导体装置。所述半导体装置包括：第一器件隔离层，在基底上限定沿着第一方向彼此分隔开的多个有源区；第二器件隔离层，在每个有源区中限定从基底突出的有源图案，第二器件隔离层在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此分隔开以连接到第一器件隔离层；以及栅极结构，在有源区之间的第一器件隔离层上沿着第二方向延伸，第二器件隔离层的顶表面低于有源图案的顶表面，第一器件隔离层的顶表面高于有源图案的顶表面，并且栅极结构的底表面的至少一部分高于有源图案的顶表面。
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公开(公告)号：CN105826384B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610028951.9
申请日：2016-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L29/0649 , H01L29/7851 , H01L29/7853 , H01L29/7854
Abstract: 提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线。第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。
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