公开(公告)号：CN1638053A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510003689.4

申请日：2005-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许圣民 ,  金成赫 ,  申仁均

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70433 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种调整通过光刻工序形成的图形的临界尺寸偏差的方法。该方法包括测量通过光刻工序形成的图形的临界尺寸偏差，然后在光掩模中形成凹部、底切或各向同性沟槽。凹部、底切或各向同性沟槽形成为具有对应于图形的临界尺寸偏差量的尺寸。凹部、底切或各向同性沟槽的尺寸通常小于光刻工序中使用的曝光源的波长λ。

公开(公告)号：CN100501929C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200510003689.4

申请日：2005-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许圣民 ,  金成赫 ,  申仁均

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70433 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种调整通过光刻工序形成的图形的临界尺寸偏差的方法。该方法包括测量通过光刻工序形成的图形的临界尺寸偏差，然后在光掩模中形成凹部、底切或各向同性沟槽。凹部、底切或各向同性沟槽形成为具有对应于图形的临界尺寸偏差量的尺寸。凹部、底切或各向同性沟槽的尺寸通常小于光刻工序中使用的曝光源的波长λ。