公开(公告)号：CN1976044A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610140028.0

申请日：2006-10-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金周汉 ,  林淳权 ,  朴弘植 ,  金時烈 ,  李殷国 ,  裴良浩 ,  李炳珍 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  康盛旭

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

摘要： 一种薄膜晶体管阵列面板，包括：像素电极，形成在基板上；栅极线，形成在像素电极上；栅极绝缘薄膜，形成在栅极线上；半导体，形成在栅极绝缘薄膜上；数据线和漏电极，形成在栅极绝缘薄膜上；以及钝化层，形成在数据线和漏电极的部分上。栅极线包括与像素电极形成在相同层上并且具有相同材料的第一薄膜以及形成在第一薄膜上的第二薄膜。