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公开(公告)号：CN110468389B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201910112028.7
申请日：2019-02-13
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C14/50 , H01L21/67
摘要： 提供了一种沉积设备。所述沉积设备包括：反应腔室，包括上板和容器主体，上板包括用于注入处理气体的气体供应件；晶圆卡盘，包括用于在其上装载晶圆的上表面，位于反应腔室中，并且晶圆卡盘的上表面面对上板；以及处理气体遮蔽部，在晶圆从晶圆卡盘去除的状态下，防止处理气体被吸附到晶圆卡盘的上表面并且设置在上板和晶圆卡盘之间。处理气体遮蔽部包括板状的挡板，挡板包括具有用于朝向晶圆卡盘喷射吹扫气体的气体排放部分的区域。
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公开(公告)号：CN110556361A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910119085.8
申请日：2019-02-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/538 , H01L27/088
摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：多个有源图案和多个栅极结构，位于基底上；第一绝缘中间层，覆盖有源图案和栅极结构；多个第一接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；多个第二接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；以及第一连接图案，与从第一接触插塞和第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的侧壁直接接触。每个栅极结构可以包括栅极绝缘层、栅电极和覆盖图案。每个第一接触插塞可以与和栅极结构相邻的有源图案接触。每个第二接触插塞可以与栅极结构中的栅电极接触。第一连接图案的上表面可以与第一接触插塞的上表面和第二接触插塞的上表面基本共面。
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公开(公告)号：CN1113045C
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN98123580.8
申请日：1998-11-04
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： C03C4/12
CPC分类号： H01S3/17 , C03C3/323 , H01S3/1603 , H01S3/1613
摘要： 本发明提供了一种具有光放大特性的以Ge-Ga-S为基的玻璃组合物，以及使用该组合物进行光纤通讯的装置。本发明包括一种以贫硫Ge-Ga-S为基的玻璃基质，它比GeS2-Ge2S3的组成曲线上的玻璃含较少的硫，以及掺入该玻璃基质中的用于发光和光放大的稀土活性材料。本发明也提供了使用这种玻璃组合物的光学装置。
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公开(公告)号：CN1278131A
公开(公告)日：2000-12-27
申请号：CN00119305.8
申请日：2000-06-21
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G02B6/12019 , G02B6/12033 , G02B6/4225
摘要： 公开了一种配备对准波导的阵列波导光栅(AWG)波分多路复用器(WDM)及其对准用的设备。WDM除实现要求的功能所需的波导外还配备对准波导,用以把光波导装置耦合到光纤块,使之能够达到要求的对准,而不管那些功能是如何实现的。因而,无须知道各个装置的工作特性,这样便能达到容易而快速的对准和粘结。按照本发明,通过检测从每一个对准波导输出的光的波长,即可确定光波导装置的工作波长。因而,有可能简单地确定光波导装置工作是否正常。
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公开(公告)号：CN1262447A
公开(公告)日：2000-08-09
申请号：CN00100394.1
申请日：2000-01-20
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G02B6/134
CPC分类号： C03C13/044 , H01S3/06716
摘要： 一种用于光放大器的光纤维,其包含在1.31微米波段能提高光放大率的镝离子(Dy3+)。该光纤维包括:一锗—镓—硫(Ge－Ga－S)化玻璃、一碱金属卤化物和一稀土元素镝(Dy)。在该光纤维中,Dy3+的电子与玻璃晶格中的声子之间的相互作用能够被降低到最小强度,故Dy3+从6F11/2和6H9/2对于6H11/2的多声子张弛被放慢,从而1.31微米的荧光寿命被延长,进一步提高了该光纤维的荧光效率。
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公开(公告)号：CN110556361B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201910119085.8
申请日：2019-02-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/538 , H01L27/088
摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：多个有源图案和多个栅极结构，位于基底上；第一绝缘中间层，覆盖有源图案和栅极结构；多个第一接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；多个第二接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；以及第一连接图案，与从第一接触插塞和第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的侧壁直接接触。每个栅极结构可以包括栅极绝缘层、栅电极和覆盖图案。每个第一接触插塞可以与和栅极结构相邻的有源图案接触。每个第二接触插塞可以与栅极结构中的栅电极接触。第一连接图案的上表面可以与第一接触插塞的上表面和第二接触插塞的上表面基本共面。
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公开(公告)号：CN106409757B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201610617844.X
申请日：2016-07-29
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本公开提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括：形成至少一个互连结构，该至少一个互连结构包括顺序层叠在基板上的金属互连和第一绝缘图案；形成覆盖互连结构的侧壁的阻挡图案；在互连结构的侧部形成第二绝缘图案，第二绝缘图案与互连结构间隔开使阻挡图案插置在第二绝缘图案和互连结构之间；通过蚀刻第一绝缘图案的一部分，在第一绝缘图案中形成通路孔，该通路孔暴露金属互连的顶表面和阻挡图案的侧壁；以及在通路孔中形成通路。
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公开(公告)号：CN1159244C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN99812045.6
申请日：1999-10-11
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01S3/06716 , C03C13/042 , C03C13/043 , H01S3/1608 , H01S3/1613 , H01S3/173
摘要： 一种用于光放大器的光纤，该光纤由掺有稀土离子的玻璃构成。将镨离子(Pr+3)和铒离子(Er+3)两者用作稀土离子，以及该玻璃是一种氟化玻璃或硫化玻璃。该光纤可在1.3微米和1.55微米波长下使用。与仅含有Pr+3或仅含有Er+3构成的光放大器相比较，该光纤构成的光放大器光放大效率可以提高。
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公开(公告)号：CN1153265C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN98126397.6
申请日：1998-12-29
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L21/67248 , C23C16/453 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02345 , H01L21/02356 , H01L21/316 , H01L21/31612 , H01L21/67115
摘要： 通过使用微波形成薄膜的装置及其使用方法。该装置包括微波退火炉；用于控制微波退火炉内的空气气氛的状态的退火炉气氛制造器；用于检测微波退火炉内的温度并将其与预定标准温度进行比较并输出误差温度的温度检测/控制器；及用于参照从温度检测/控制器输出的误差温度产生预定温度的微波并将微波提供给微波退火炉的微波电源。通过使用微波的压实可以快速的形成具有精细结构的薄膜。
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公开(公告)号：CN1145300C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN00119305.8
申请日：2000-06-21
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G02B6/12019 , G02B6/12033 , G02B6/4225
摘要： 公开了一种配备对准波导的阵列波导光栅(AWG)波分多路复用器(WDM)及其对准用的设备。WDM除实现要求的功能所需的波导外还配备对准波导，用以把光波导装置耦合到光纤块，使之能够达到要求的对准，而不管那些功能是如何实现的。因而，无须知道各个装置的工作特性，这样便能达到容易而快速的对准和粘结。按照本发明，通过检测从每一个对准波导输出的光的波长，即可确定光波导装置的工作波长。因而，有可能简单地确定光波导装置工作是否正常。
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