公开(公告)号：CN106847665B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201610905897.1

申请日：2013-11-08

申请人： 斯克林集团公司

发明人： 奥谷学

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/0206 ,  B08B3/04 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

摘要： 本发明的基板处理方法包括：冲洗工序，向形成有微细图案且基板保持单元保持为水平姿势的基板的上表面供给冲洗液；有机溶媒供给工序，向基板保持单元保持的基板的包括微细图案的间隙的上表面供给有机溶媒，在该上表面上形成有机溶媒的液膜，将附着于基板的上表面的冲洗液置换为有机溶媒，且有机溶媒是表面张力比冲洗液的表面张力小的规定的液体；高温保持工序，在开始有机溶媒供给工序后执行，使被基板保持单元保持的基板的上表面保持比有机溶媒的沸点高的规定的高温，在基板的包括微细图案的间隙的整个上表面形成有机溶媒的气相膜，在该气相膜的上方形成有机溶媒的液膜；有机溶媒排除工序，从基板保持单元保持的基板的上表面排除有机溶媒的液膜。

公开(公告)号：CN109643638A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780050599.1

申请日：2017-01-27

申请人： 应用材料公司

发明人： 春·燕 ,  鲍新宇 ,  仲华 ,  舒伯特·S·楚

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/02046 ,  B08B7/0035 ,  B08B7/0057 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115

摘要： 本文公开的实施方式涉及用于在外延处理之后，控制有害气体的基板脱气的方法。在一个实施方式中，方法包含将包含外延层的基板提供入移送腔室，其中移送腔室具有设置为邻接移送腔室的顶板的紫外线(UV)灯模块，使含氧气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室，使不反应气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室，启用UV灯模块以将在基板的表面上的残留物或物质氧化以在基板的表面上形成脱气阻挡层，使含氧气体与含氮气体停止流入移送腔室，泵送移送腔室，以及停用UV灯模块。

公开(公告)号：CN109216226A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710548956.9

申请日：2017-07-07

申请人： 季晓鸣

发明人： 季晓鸣

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/6715 ,  H01L21/67115 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种太阳能滴胶板红外热封装移动台，包括支撑座，支撑座的端部内侧位置设有限位槽，支撑座的两端均设有支撑柱；支撑座的顶部上设有扣板，扣板的内侧下部设有扣槽，扣槽与限位槽连通；扣板的一端下方设有第一固定座，第一固定座的中部之间设有旋转轴，旋转轴的两端均设有主动轮，旋转轴的中部套装有驱动轮；扣板的另一端下方设有第二固定座，第二固定座的对外朝向面位置设有安装轴，安装轴的外周面套装有从动轮，从动轮与主动轮之间设有传输带；支撑座的端部之间设有远红外线加热板，扣板扣接在远红外线加热板的边缘位置上部；远红外线加热板的底部安装在传输带上。本发明可以方便对太阳能滴胶板进行施胶封装处理。

公开(公告)号：CN108857086A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810407941.5

申请日：2018-05-02

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 重松孝一

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/03 ,  B23K26/08 ,  B23K26/70 ,  B23K37/04 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/67132 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/364 ,  B23K26/38 ,  B23K26/402 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  B23K26/702 ,  B23K37/0408 ,  H01L21/78

摘要： 提供激光加工方法，在将粘结膜按照每个芯片断开而制造出粘装有膜的芯片的情况下，将膜高效地断开而不使芯片损伤。一种激光加工方法，其中，该激光加工方法包含：对被分割成芯片并在背面上粘贴有粘结膜的被加工物的膜侧进行保持的步骤；在被加工物的槽中按照规定的芯片间隔对槽宽和槽宽的中心坐标进行检测的步骤；根据检测出的槽宽和槽宽的中心坐标来计算激光束照射线的步骤；根据通过激光束照射线计算步骤计算出的激光束照射线在槽的宽度方向上的偏移量来确定偏移级别的步骤；以及沿着激光束照射线对槽底部的膜照射激光束而将膜断开的激光加工步骤。

公开(公告)号：CN108701593A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780011704.0

申请日：2017-01-26

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 若林大士 ,  二井谷美保 ,  目黑贤二

IPC分类号： H01L21/26 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742

摘要： 本发明是一种半导体晶圆的热处理方法，其在单片式的热处理炉内配设有能够载置半导体晶圆的基座，并对载置于该基座的半导体晶圆进行热处理，其特征在于，在所述热处理前，在所述热处理炉内，进行以比所述热处理的温度低的规定温度保持规定时间的预备加热，在该预备加热中，使所述半导体晶圆从所述基座分离并进行保持。由此，提供一种半导体晶圆的热处理方法，该方法即使在高温热处理时也不会大幅降低生产性，并能够抑制半导体晶圆的滑移。

公开(公告)号：CN108476560A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680064869.X

申请日：2016-09-09

申请人： 沃特洛电气制造公司

发明人： 穆罕默德·诺斯拉蒂 ,  罗格·布鲁梅尔 ,  肯尼斯·D·阿米斯 ,  保罗·S·惠茨通

IPC分类号： H05B3/42 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67109 ,  C01B21/072 ,  C01F5/02 ,  C01F7/02 ,  C01G25/02 ,  C01P2006/40 ,  C04B37/021 ,  C04B2237/345 ,  C04B2237/363 ,  C04B2237/40 ,  H01L21/67115 ,  H05B3/42 ,  H05B2203/016

摘要： 本发明公开了一种加热器组件(10)，其包括：加热构件(12)；安装构件(14)，该安装构件(14)将该加热构件(12)安装到外部部件的壁(16)；以及绝缘体(22)，该绝缘体(22)被布置在该加热构件(12)和壁(16)之间。该绝缘体(22)使该加热构件(12)与壁(16)电绝缘，并且阻断从该加热构件(12)到该外部部件的壁(16)的接地通路。

公开(公告)号：CN108352298A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680064396.3

申请日：2016-10-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 约瑟夫·M·拉内什 ,  阿伦·缪尔·亨特 ,  斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L29/32

摘要： 本文所公开的实施方式一般地涉及用于处理基板的底表面以抵消基板上的热应力的方法及装置。可将校正应变施加至基板的底表面，校正应变可补偿基板的顶表面上的非期望的应变及变形。可通过任意结合沉积、注入、热处理及蚀刻在基板的背侧上形成经特别设计的膜，以产生能补偿基板的非所欲变形的应变。通过局部改变氮化硅膜或碳膜的氢含量可导致局部应变。可由印刷、光刻术或自组装技术形成结构。可由期望的应力图来确定对膜的数个层的处理，且所述处理可包括退火、注入、熔融或其它热处理。

公开(公告)号：CN108346558A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810013110.X

申请日：2018-01-05

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 山本昌裕 ,  奥村智洋

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H05H1/28

CPC分类号： H01L21/67115 ,  F24H3/0405 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68764 ,  H01L23/32 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/18 ,  H05H1/28

摘要： 本发明的目的在于，提供在利用直线状的热源对基材进行处理时均匀性优异的基材加热装置及方法以及电子设备的制造方法。所述基材加热装置具备：基材保持用具(2)，其保持作为被处理物的基材(1)；热源(T)，其利用线状的加热部(20)对由基材保持用具保持的基材进行加热；移动机构(90)，其能够使基材保持用具和热源在与热源的线状的加热部的长度方向相交的方向上相对地移动；以及冷却机构(93)，其配置于基材保持用具，通过与基材接触而将基材的外周部(1a)冷却，冷却机构的冷却能力根据基材的位置而带有分布。

公开(公告)号：CN104520975B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201380040677.1

申请日：2013-07-26

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 立野秀人 ,  和田优一 ,  芦原洋司 ,  山崎惠信 ,  牛田卓朗 ,  中村岩 ,  泉学

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/46 ,  H01L21/22 ,  H01L21/316

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

摘要： 抑制处理容器内的处理气体的液化。具有：收纳衬底的处理容器；向所述衬底供给处理气体的气体供给部；封闭所述处理容器的盖体；设置在所述盖体上的热导体；和加热所述热导体的热导体加热部。

公开(公告)号：CN105280474B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201510313924.1

申请日：2015-06-09

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 近藤昌树

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67253 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/361 ,  B23K26/362 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67115 ,  H01L22/00

摘要： 本发明提供一种蚀刻处理方法以及斜角蚀刻装置，该斜角蚀刻装置监视被照射到基板的斜角部之前的激光并检测激光的输出值的变动。该蚀刻处理方法使用了斜角蚀刻装置，该斜角蚀刻装置具备激光发生器和测量从上述激光发生器输出的激光的功率计，照射激光来蚀刻基板，该蚀刻处理方法包括以下工序：在照射激光来蚀刻基板之前，向功率计将激光照射规定时间；利用上述功率计来测量激光的输出值；判定进行上述测量得到的激光的输出值相对于从上述激光发生器输出的激光的输出设定值而言是否处于规定阈值的范围内。