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公开(公告)号：CN110752212B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201910374990.8
申请日：2019-05-07
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/088 , H10B10/00
摘要： 半导体器件包括：栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；第一接触插塞，在所述栅极中的相邻栅极之间与衬底接触，第一接触插塞与所述栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，第二接触插塞在所述第一接触插塞之间；以及绝缘间隔物，在第二接触插塞和相邻的第一接触插塞之间的间隙中，绝缘间隔物接触第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的侧壁，并且第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的上表面基本上彼此共面。
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公开(公告)号：CN110310986B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910231444.9
申请日：2019-03-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/423 , H01L27/088
摘要： 一种集成电路器件可以包括：衬底，包括沿第一方向延伸的鳍型有源区；栅极结构，交叉鳍型有源区并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源极/漏极区，在栅极结构的彼此相反侧处的鳍型有源区上；第一接触结构，电连接到源极/漏极区中的一个；成对的第一接触块结构，分别在第一接触结构的在第二方向上的彼此相反的第一侧壁上。
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公开(公告)号：CN110021526A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811416581.1
申请日：2018-11-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种刻蚀方法和一种制造半导体器件的方法。所述刻蚀方法包括：将第一处理气体的等离子体提供到刻蚀对象，以在所述刻蚀对象上形成沉积层，所述第一处理气体包括碳氟化合物气体和惰性气体，并且所述刻蚀对象包括包含氧化硅的第一区和包含氮化硅的第二区；将惰性气体的等离子体提供到在所述刻蚀对象上具有所述沉积层的所述刻蚀对象，以活化所述氧化硅的刻蚀反应，其中，将负直流电压施加到与所述刻蚀对象分隔开以面对所述刻蚀对象的刻蚀表面的相对部，所述相对部包括硅；以及随后，提供第二处理气体的等离子体，以去除刻蚀反应产物，所述第二处理气体包括惰性气体和含氧气体。
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公开(公告)号：CN104009142B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410059748.9
申请日：2014-02-21
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L33/62 , H01L27/153 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本申请涉及一种发光器件封装件。所述发光器件封装件包括其中形成有过孔的封装件衬底。电极层在穿过所述过孔之后延伸至封装件衬底的两个表面。发光器件布置在封装件衬底上并连接至电极层。荧光膜包括填充过孔的内部空间的至少一部分的第一部分和覆盖发光器件的至少一部分的第二部分。
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公开(公告)号：CN110021526B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201811416581.1
申请日：2018-11-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种刻蚀方法和一种制造半导体器件的方法。所述刻蚀方法包括：将第一处理气体的等离子体提供到刻蚀对象，以在所述刻蚀对象上形成沉积层，所述第一处理气体包括碳氟化合物气体和惰性气体，并且所述刻蚀对象包括包含氧化硅的第一区和包含氮化硅的第二区；将惰性气体的等离子体提供到在所述刻蚀对象上具有所述沉积层的所述刻蚀对象，以活化所述氧化硅的刻蚀反应，其中，将负直流电压施加到与所述刻蚀对象分隔开以面对所述刻蚀对象的刻蚀表面的相对部，所述相对部包括硅；以及随后，提供第二处理气体的等离子体，以去除刻蚀反应产物，所述第二处理气体包括惰性气体和含氧气体。
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公开(公告)号：CN110416210B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201910206680.5
申请日：2019-03-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/088 , H01L23/528 , H01L21/8234
摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；栅极结构，位于基底上；第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和层间绝缘层，堆叠在栅极结构上；以及接触插塞，穿透层间绝缘层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并且接触栅极结构的侧壁。接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有第二宽度的上部。接触插塞的下表面具有台阶形状。
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公开(公告)号：CN109755218A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201810567838.7
申请日：2018-06-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 提供了一种半导体器件及形成其的方法。该半导体器件包括在衬底上彼此间隔开并平行地线形延伸的多个有源区域。栅电极跨越所述多个有源区域，并且相应漏极区域在有源区域的位于栅电极的第一侧的相应有源区域上和/或中，相应源极区域在有源区域的位于栅电极的第二侧的相应有源区域上和/或中。漏极插塞设置在漏极区域上，源极插塞设置在源极区域上。栅极插塞在漏极插塞与源极插塞之间设置于栅电极上，使得穿过漏极插塞的中心和源极插塞的中心的直线交叉栅极插塞。
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公开(公告)号：CN102543981B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110402793.6
申请日：2011-12-02
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/483 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种发光装置(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：LED，包括设置在LED一个表面上的第一电极焊盘和第二电极焊盘；结合绝缘图案层，被构造成暴露第一电极焊盘和第二电极焊盘；基底，包括从第一表面向第二表面成孔的通孔以及形成在通孔的内表面上延伸至第二表面的一部分的布线金属层；以及结合金属图案层，结合到通过通孔在基底的第一表面处暴露的布线金属层，结合金属图案层还结合到第一电极焊盘和第二电极焊盘。
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公开(公告)号：CN102637812B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210031251.7
申请日：2012-02-13
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L33/642 , H01L24/97 , H01L33/486 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2933/0033 , H01L2933/0058 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 提供了一种发光装置封装件及其制造方法。该发光装置封装件包括：第一引线框架，包括安装区域和围绕安装区域的散热区域，安装区域向上凸出以定位为比散热区域高；第二引线框架，设置成与第一引线框架分隔开；至少一个发光装置，设置在第一引线框架的安装区域上；成型部件，形成为将第一引线框架和第二引线框架固定到成型部件；以及透镜部件，设置在至少一个发光装置和成型部件上方，并提供了制造该发光装置封装件的方法。
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公开(公告)号：CN110556361B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201910119085.8
申请日：2019-02-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/538 , H01L27/088
摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：多个有源图案和多个栅极结构，位于基底上；第一绝缘中间层，覆盖有源图案和栅极结构；多个第一接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；多个第二接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；以及第一连接图案，与从第一接触插塞和第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的侧壁直接接触。每个栅极结构可以包括栅极绝缘层、栅电极和覆盖图案。每个第一接触插塞可以与和栅极结构相邻的有源图案接触。每个第二接触插塞可以与栅极结构中的栅电极接触。第一连接图案的上表面可以与第一接触插塞的上表面和第二接触插塞的上表面基本共面。
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