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公开(公告)号：CN115220047A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202111320546.1
申请日：2021-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种光检测和测距(LiDAR)装置，包括：多个开关，以二叉树结构进行连接；光源和光电检测器，分别连接到设置在二叉树结构的根节点上的根开关；以及光发射/接收光学系统，连接到设置在二叉树结构的多个终端节点处的多个终端开关，该光发射/接收光学系统被配置为将光发射到LiDAR装置的外部或从外部接收光，其中，根开关是2×2开关，该2×2开关包括第一上游侧端口、第二上游侧端口、第一下游侧端口和第二下游侧端口，以及其中，光源连接到第一上游侧端口并且光电检测器连接到第二上游侧端口。
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公开(公告)号：CN114428254A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110386130.3
申请日：2021-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种距离测量设备及其操作方法。距离测量设备可以包括：发送器，被配置为基于发送信号朝目标对象发射感测信号；接收器，被配置为检测感测信号并输出与感测信号相对应的接收信号；以及处理器，被配置为使用具有根据时间索引而变化的峰值的基线来校正接收信号，并且基于指示校正后的接收信号与发送信号之间的互相关的互相关信号来确定到目标对象的距离。
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公开(公告)号：CN100547660C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200580021929.1
申请日：2005-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/005
CPC classification number: G11B7/005 , G11B7/1353 , G11B7/24 , G11B7/257
Abstract: 提供一种再现以具有小于入射光束的分辨能力的大小的标记的形式记录在超分辨信息存储介质中的数据的方法及其设备。所述数据再现方法包括：将具有引起超分辨现象的分辨功率的第一光束和具有不引起超分辨现象的分辨功率的第二光束照射到信息存储介质上；检测基于第一光束的第一再现信号和基于第二光束的第二再现信号；补偿并计算第一再现信号和第二再现信号之间的时间延迟。因此，从除了超分辨区之外的再现光束点的外围区反射的信号可被排除，从而改善再现信号特性。
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公开(公告)号：CN100440346C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200480035523.4
申请日：2004-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24065 , Y10T428/21 , Y10T428/24802
Abstract: 一种超分辨率信息存储介质，包括：基底；第一超分辨率层，形成在基底之上；第二超分辨率层，形成在第一超分辨率层之上；和插入层，设置在第一超分辨率层和第二超分辨率层之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100433153C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200480027356.9
申请日：2004-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/1387 , G11B7/24085 , G11B7/243 , G11B7/258 , Y10T428/21
Abstract: 关于最近开发的许多介质，最大的看点就是容量。本发明提供了一种高密度只读光盘，该高密度只读光盘包括：基底，该基底具有根据单位信息而长度不同的坑，其中，坑的深度随着坑长度增加而增加；掩模层，包含金属氧化物或者精细金属颗粒和介电材料的混合物。由于坑深度根据坑长度而改变，所以高密度只读光盘可用于读取不大于读取分辨率极限的坑，并且得到了最佳的CNR。同样，本发明提供了一种高密度只读光盘的制备方法，该方法可用来制备具有基于坑长度的最佳坑深度的高密度只读光盘。
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公开(公告)号：CN100407296C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200480030112.6
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/004
CPC classification number: G11B7/1263 , G11B7/005 , G11B7/00736 , G11B7/0938 , G11B7/24 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B2007/24304 , G11B2007/2432
Abstract: 一种从信息存储介质再现信号的方法以及设备，所述方法和设备能够在将记录在信息存储介质中的参考信号与再现信号相比较之后调节读出功率，从而减小散焦和倾斜的影响并增加了信号余量。所述方法包括：将具有预定读出功率的光束发射到所述信息存储介质上；接收从所述信息存储介质反射的光束，并检测该信息存储介质的再现信号和用于确定所述再现信号的电平是否高于或等于执行再现所需要的电平的参考信号；和确定检测的再现信号的电平是否高于或等于执行再现所需要的电平，并响应于再现信号的电平低于执行再现所需要的电平的情况来调节光源的读出功率。
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公开(公告)号：CN100399431C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410078690.9
申请日：2001-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/0079 , G11B7/00718 , G11B7/1263 , G11B7/24038 , G11B7/24079 , G11B2007/0013
Abstract: 本发明提供一种在光记录介质上记录和再现数据的方法，该光记录介质具有多个数据记录/再现表面，其中通过使用具有比光强度Pr大且增加4—20%的强度的光，在比所选记录/再现表面远离光源的下一个记录/再现表面上记录或再现数据，所述光强度Pr是在不包括最靠近光源的多个数据记录/再现表面的记录/再现表面中选择的一个记录/再现表面上记录或再现数据时使用的光强度。
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公开(公告)号：CN100351922C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200580000173.2
申请日：2005-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/005
CPC classification number: G11B7/1267
Abstract: 本发明提供了一种用于通过积极地检测根据超分辨率信息存储介质(SRISM)的反射率而变化的阈域，使用实际上适于再现的适当实际再现功率来再现记录在SRISM中的信息的方法和设备。从SRISM再现信息的方法包括：将光束发射到SRISM上，同时改变激光光束的再现功率，接收被SRISM反射的光束，并从接收的光束检测再现信号电平的变化；基于再现信号电平的变化，计算再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率；和基于参考再现功率设置实际再现功率。用于从SRISM再现信息的设备包括光学拾取单元和信号处理单元。该光学拾取单元包括光源和光电检测器，其中光源将具有一定范围的功率的光束发射到SRISM上，光电检测器接收从SRISM反射的光束，并从接收的光束检测再现信号；该信号处理单元根据被光源发射到SRISM上的光束的再现功率的变化来检测再现信号电平的变化，并基于再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率设置从光源发射的光束的实际再现功率。
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公开(公告)号：CN1886789A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200480035523.4
申请日：2004-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24065 , Y10T428/21 , Y10T428/24802
Abstract: 一种超分辨率信息存储介质，包括：基底；第一超分辨率层，形成在基底之上；第二超分辨率层，形成在第一超分辨率层之上；和插入层，设置在第一超分辨率层和第二超分辨率层之间。
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