公开(公告)号：CN107953260B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201710727476.9

申请日：2017-08-22

申请人： 三星电子株式会社 ,  二和金刚石工业株式会社

发明人： 洪命基 ,  金荣俊 ,  朴星五 ,  李晓山 ,  李周翰 ,  吴奎旼 ,  朴宜奎 ,  李世珖 ,  杨璨基

IPC分类号： B24B53/017 ,  B24B37/005 ,  B24B49/16 ,  H01L21/66

摘要： 一种化学机械抛光(CMP)方法包括准备抛光垫，确定在抛光垫的修整期间要施加到修整盘的第一负荷以及当将第一负荷施加到修整盘时修整盘的尖端插入到抛光垫中的第一压入深度，准备修整盘，并将修整盘置于抛光垫上，并且在将第一负荷施加到修整盘的同时通过使用修整盘来修整抛光垫的表面。

公开(公告)号：CN109590894A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201810929800.X

申请日：2018-08-15

申请人： 三星电子株式会社 ,  二和金刚石工业株式会社

发明人： 韩率 ,  金荣俊 ,  金镐永 ,  文斗植 ,  朴星五 ,  张永锡 ,  朴宣奎 ,  吴奎旼 ,  李周翰

IPC分类号： B24B37/005 ,  B24B37/04 ,  B24B53/017 ,  B24B53/12 ,  B24B57/02 ,  B24D18/00

摘要： 提供了一种化学机械抛光方法和一种制造半导体器件的方法。所述化学机械抛光方法包括：提供垫整修器，使得所述垫整修器包括底部和从所述底部的表面突出的多个顶端；调节所述多个顶端中的每个顶端的上表面的表面粗糙度；以及使用所述多个顶端的上表面的调节后的表面粗糙度来调节化学机械抛光的抛光速率。

公开(公告)号：CN107953260A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710727476.9

申请日：2017-08-22

申请人： 三星电子株式会社 ,  二和金刚石工业株式会社

发明人： 洪命基 ,  金荣俊 ,  朴星五 ,  李晓山 ,  李周翰 ,  吴奎旼 ,  朴宜奎 ,  李世珖 ,  杨璨基

IPC分类号： B24B53/017 ,  B24B37/005 ,  B24B49/16 ,  H01L21/66

CPC分类号： B24B53/017 ,  B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  B24B37/0053 ,  B24B49/16 ,  H01L22/26

摘要： 一种化学机械抛光(CMP)方法包括准备抛光垫，确定在抛光垫的修整期间要施加到修整盘的第一负荷以及当将第一负荷施加到修整盘时修整盘的尖端插入到抛光垫中的第一压入深度，准备修整盘，并将修整盘置于抛光垫上，并且在将第一负荷施加到修整盘的同时通过使用修整盘来修整抛光垫的表面。