公开(公告)号：CN107452871A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710351707.0

申请日：2017-05-18

申请人： 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

发明人： 金佑填 ,  金起园 ,  S.P.S.帕金 ,  M.G.萨曼特 ,  郑在佑

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

摘要： 示例实施方式涉及磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括磁隧道结层，该磁隧道结层包括第一磁性层、第二磁性层和在第一磁性层及第二磁性层之间的第一隧道阻挡层。第一磁性层与第一隧道阻挡层直接接触。第一磁性层包括钴-铁-铍(CoFeBe)。第一磁性层中的CoFeBe的铍含量在大约2at％至大约15at％的范围。

公开(公告)号：CN107452871B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201710351707.0

申请日：2017-05-18

申请人： 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

发明人： 金佑填 ,  金起园 ,  S.P.S.帕金 ,  M.G.萨曼特 ,  郑在佑

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

摘要： 示例实施方式涉及磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括磁隧道结层，该磁隧道结层包括第一磁性层、第二磁性层和在第一磁性层及第二磁性层之间的第一隧道阻挡层。第一磁性层与第一隧道阻挡层直接接触。第一磁性层包括钴‑铁‑铍(CoFeBe)。第一磁性层中的CoFeBe的铍含量在大约2at％至大约15at％的范围。