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公开(公告)号：CN110350082B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201910096762.9
申请日：2019-01-31
Abstract: 描述了一种磁性器件和提供磁性器件的方法。该磁性器件包括基板、覆盖基板的MnxN层、在室温下为非磁性的多层结构、以及第一磁性层。MnxN层具有2≤x≤4.75。该多层结构包括Co和E的交替的层，其中E包括包含Al的至少一种其它元素。该多层结构的组成由Co1‑xEx表示，x在从0.45到0.55的范围内。第一磁性层包括赫斯勒化合物。第一磁性层与该多层结构接触，并且第一磁性层形成磁隧道结的部分。
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公开(公告)号：CN107452871B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201710351707.0
申请日：2017-05-18
Abstract: 示例实施方式涉及磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括磁隧道结层，该磁隧道结层包括第一磁性层、第二磁性层和在第一磁性层及第二磁性层之间的第一隧道阻挡层。第一磁性层与第一隧道阻挡层直接接触。第一磁性层包括钴‑铁‑铍(CoFeBe)。第一磁性层中的CoFeBe的铍含量在大约2at％至大约15at％的范围。
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公开(公告)号：CN110350082A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910096762.9
申请日：2019-01-31
Abstract: 描述了一种磁性器件和提供磁性器件的方法。该磁性器件包括基板、覆盖基板的MnxN层、在室温下为非磁性的多层结构、以及第一磁性层。MnxN层具有2≤x≤4.75。该多层结构包括Co和E的交替的层，其中E包括包含Al的至少一种其它元素。该多层结构的组成由Co1-xEx表示，x在从0.45到0.55的范围内。第一磁性层包括赫斯勒化合物。第一磁性层与该多层结构接触，并且第一磁性层形成磁隧道结的部分。
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公开(公告)号：CN109713117A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811247710.9
申请日：2018-10-25
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F1/147 , H01F10/1936 , H01F10/30 , H01L27/222 , H01L43/08
Abstract: 提供了磁性堆叠结构、磁性存储器件及操作磁性存储器件的方法，并公开了在MRAM元件的形成中用作籽晶层的材料。具体地，取向在(001)方向上的MnN层在衬底上生长。覆盖并接触MnN层的磁性层形成部分磁隧道结，其中该磁性层包括含Mn的哈斯勒化合物。磁隧道结包括该磁性层、覆盖该磁性层的隧道势垒、以及覆盖该隧道势垒的第一(磁性)电极。第二电极接触MnN层。
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公开(公告)号：CN109713117B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201811247710.9
申请日：2018-10-25
Abstract: 提供了磁性堆叠结构、磁性存储器件及操作磁性存储器件的方法，并公开了在MRAM元件的形成中用作籽晶层的材料。具体地，取向在(001)方向上的MnN层在衬底上生长。覆盖并接触MnN层的磁性层形成部分磁隧道结，其中该磁性层包括含Mn的哈斯勒化合物。磁隧道结包括该磁性层、覆盖该磁性层的隧道势垒、以及覆盖该隧道势垒的第一(磁性)电极。第二电极接触MnN层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107452871A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710351707.0
申请日：2017-05-18
Abstract: 示例实施方式涉及磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括磁隧道结层，该磁隧道结层包括第一磁性层、第二磁性层和在第一磁性层及第二磁性层之间的第一隧道阻挡层。第一磁性层与第一隧道阻挡层直接接触。第一磁性层包括钴-铁-铍(CoFeBe)。第一磁性层中的CoFeBe的铍含量在大约2at％至大约15at％的范围。
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公开(公告)号：CN105826462B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201610048540.6
申请日：2016-01-25
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种结构体，包括Mn1+cX形式的四方霍斯勒，其中X包括选自Ge和Ga的元素，以及0≤c≤3。所述四方霍斯勒直接在沿(001)方向取向的且以YMn1+d形式的基底上(或更通常地，在基底上面)生长，其中Y包括选自Ir和Pt的元素，以及0≤d≤4。所述四方霍斯勒和所述基底彼此邻近，从而容许自旋极化电流从一个穿过另一个。所述结构体可形成磁性隧道结磁阻器件的部件，且这样的磁阻器件的阵列可共同形成MRAM。
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公开(公告)号：CN102668085A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080055451.5
申请日：2010-09-21
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C11/5685 , C23C14/081 , C23C14/35 , G11C11/5671 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2013/0073 , G11C2013/009 , G11C2213/76 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/165
Abstract: 掺杂氮的氧化镁(MgO)绝缘层呈现电压控制的电阻状态，如，高电阻状态和低电阻状态。100nm级的图案化纳米装置显示高的可再现开关特性。通过增加氮浓度，可有系统地降低此类装置在两个电阻电平之间切换的电压电平。同样地，通过改变氮浓度，可改变高电阻状态的电阻，和通过改变氮浓度几个百分比，可减少高电阻状态的电阻若干数量级。另一方面，低电阻状态的电阻则几乎不受氮掺杂程度的影响。通过限制在SET(设定)过程期间通过的电流，可在广泛范围中改变单一Mg50O50-xNx层装置的电阻。因而可建构相关的数据存储装置。
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公开(公告)号：CN105826462A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610048540.6
申请日：2016-01-25
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种结构体，包括Mn1+cX形式的四方霍斯勒，其中X包括选自Ge和Ga的元素，以及0≤c≤3。所述四方霍斯勒直接在沿(001)方向取向的且以YMn1+d形式的基底上(或更通常地，在基底上面)生长，其中Y包括选自Ir和Pt的元素，以及0≤d≤4。所述四方霍斯勒和所述基底彼此邻近，从而容许自旋极化电流从一个穿过另一个。所述结构体可形成磁性隧道结磁阻器件的部件，且这样的磁阻器件的阵列可共同形成MRAM。
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公开(公告)号：CN102668085B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201080055451.5
申请日：2010-09-21
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C11/5685 , C23C14/081 , C23C14/35 , G11C11/5671 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2013/0073 , G11C2013/009 , G11C2213/76 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/165
Abstract: 掺杂氮的氧化镁(MgO)绝缘层呈现电压控制的电阻状态，如，高电阻状态和低电阻状态。100nm级的图案化纳米装置显示高的可再现开关特性。通过增加氮浓度，可有系统地降低此类装置在两个电阻电平之间切换的电压电平。同样地，通过改变氮浓度，可改变高电阻状态的电阻，和通过改变氮浓度几个百分比，可减少高电阻状态的电阻若干数量级。另一方面，低电阻状态的电阻则几乎不受氮掺杂程度的影响。通过限制在SET(设定)过程期间通过的电流，可在广泛范围中改变单一Mg50O50-xNx层装置的电阻。因而可建构相关的数据存储装置。
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