公开(公告)号：CN101469411A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810176342.3

申请日：2008-11-20

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 金昶成 ,  刘相德 ,  洪钟波 ,  沈智慧 ,  李元申

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45508 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584

摘要： 本发明提供一种化学气相沉积设备。所述设备包括反应室、气体引入单元和气体排出单元。气体室包括基座和反应炉，在基座上装载晶片，在反应炉中用化学气相沉积处理晶片。气体引入单元设置在反应室的外壁，以从反应炉外部向反应炉中心部分供应反应气体。气体排出单元设置在反应室的中心部分，以在反应气体被用于在反应炉中的反应之后将反应气体排放到反应室的上面的外部或下面的外部。因此，即使当增加工艺压力以生长高温沉积层时，室内的气体强度也可保持在基本均匀的状态。

公开(公告)号：CN100442562C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200610112016.7

申请日：2006-08-25

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 文元河 ,  金东云 ,  洪钟波

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC分类号： H05B33/145 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/18 ,  Y10S977/764 ,  Y10S977/816 ,  Y10S977/90 ,  Y10S977/95

摘要： 本发明提供了一种纳米线发光器件及其制造方法。在该发光器件中，形成有第一和第二导电型包覆层，活性层设置于其间。第一和第二导电型包覆层和活性层中的至少之一是半导体纳米线层，半导体纳米线层通过准备由半导体纳米线和有机粘结剂所组成的混合物层并从其中除去有机粘结剂而获得。

公开(公告)号：CN1921160A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610112016.7

申请日：2006-08-25

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 文元河 ,  金东云 ,  洪钟波

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC分类号： H05B33/145 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/18 ,  Y10S977/764 ,  Y10S977/816 ,  Y10S977/90 ,  Y10S977/95

摘要： 本发明提供了一种纳米线发光器件及其制造方法。在该发光器件中，形成有第一和第二导电型包覆层，活性层设置于其间。第一和第二导电型包覆层和活性层中的至少之一是半导体纳米线层，半导体纳米线层通过准备由半导体纳米线和有机粘结剂所组成的混合物层并从其中除去有机粘结剂而获得。