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公开(公告)号：CN101087008A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710097363.1
申请日：2007-05-11
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0004
摘要： 一种发光晶体管，包括：第一导电型集电极层，形成于基板上；第二导电型基极层，形成于所述集电极层的预定区域上；集电极，形成于所述集电极层上未形成有所述基极层的区域上；第一导电型发射极层，形成于所述基极层的预定区域上；基电极，形成于所述基极层上未形成有所述发射极层的区域上；发射电极，形成于所述发射极层上；第一激活层，形成于所述集电极层与所述基极层之间；以及第二激活层，形成于所述基极层与所述发射极层之间。
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公开(公告)号：CN100517786C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710103042.8
申请日：2007-04-29
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种氮化物基半导体LED，包括：阳极；第一p型包覆层，具有与阳极相接触的第二n型包覆层，该第一p型包覆层形成于阳极下方，从而第一p型包覆层的一部分与阳极相接触；活性层，形成在第一p型包覆层下方；第一n型包覆层，具有不与活性层相接触的第二p型包覆层，该第一n型包覆层形成于活性层的整个下表面上；以及阴极，形成于第一n型包覆层和第二p型包覆层的下方，以便与第一n型包覆层的一部分和第二p型包覆层相接触，其中，第二n型包覆层不与活性层相接触。
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公开(公告)号：CN1921160A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610112016.7
申请日：2006-08-25
申请人： 三星电机株式会社
CPC分类号： H05B33/145 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L33/18 , Y10S977/764 , Y10S977/816 , Y10S977/90 , Y10S977/95
摘要： 本发明提供了一种纳米线发光器件及其制造方法。在该发光器件中，形成有第一和第二导电型包覆层，活性层设置于其间。第一和第二导电型包覆层和活性层中的至少之一是半导体纳米线层，半导体纳米线层通过准备由半导体纳米线和有机粘结剂所组成的混合物层并从其中除去有机粘结剂而获得。
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公开(公告)号：CN100442562C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200610112016.7
申请日：2006-08-25
申请人： 三星电机株式会社
CPC分类号： H05B33/145 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L33/18 , Y10S977/764 , Y10S977/816 , Y10S977/90 , Y10S977/95
摘要： 本发明提供了一种纳米线发光器件及其制造方法。在该发光器件中，形成有第一和第二导电型包覆层，活性层设置于其间。第一和第二导电型包覆层和活性层中的至少之一是半导体纳米线层，半导体纳米线层通过准备由半导体纳米线和有机粘结剂所组成的混合物层并从其中除去有机粘结剂而获得。
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公开(公告)号：CN101083291A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710103042.8
申请日：2007-04-29
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种氮化物基半导体LED，包括：阳极；第一p型包覆层，具有与阳极相接触的第二n型包覆层，该第一p型包覆层形成于阳极下方，从而第一p型包覆层的一部分与阳极相接触；活性层，形成在第一p型包覆层下方；第一n型包覆层，具有不与活性层相接触的第二p型包覆层，该第一n型包覆层形成于活性层的整个下表面上；以及阴极，形成于第一n型包覆层和第二p型包覆层的下方，以便与第一n型包覆层的一部分和第二p型包覆层相接触。
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