-
公开(公告)号:CN102468341A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201110208118.X
申请日:2011-07-19
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/42384
Abstract: 一种氧化物半导体薄膜晶体管包括:栅极电极,栅极电极位于衬底上并具有第一面积;栅极绝缘层,栅极绝缘层位于栅极电极上并覆盖栅极电极;有源层,有源层位于栅极绝缘层上并具有小于第一面积的第二面积;源极电极,源极电极位于有源层上并接触有源层的源极区域;漏极电极,漏极电极位于有源层上并接触有源层的漏极区域;以及钝化层,钝化层覆盖有源层、源极电极、以及漏极电极。
-
公开(公告)号:CN102456696A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201110135843.9
申请日:2011-05-20
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/77 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3265
Abstract: 提供了一种显示装置及其制造方法。根据示例性实施例的显示装置包括:栅极导线,所述栅极导线中的至少一条具有包括形成在所述基板上的第一透明导电层和形成在所述第一透明导电层上的第一金属层的第一多层结构,并且所述栅极导线中的至少另一条具有利用所述第一透明导电层形成的第一单层结构;形成在所述栅极导线的一部分上的半导体层;以及数据导线,所述数据导线中的至少一条具有包括形成在所述半导体层上的第二透明导电层和形成在所述第二透明导电层上的第二金属层的第二多层结构,并且所述数据导线中的至少另一条具有利用所述第二透明导电层形成的第二单层结构。
-
公开(公告)号:CN102290421A
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN201110122768.2
申请日:2011-05-05
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/43 , H01L21/77 , H01L27/32 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F2201/40 , H01L27/1255 , H01L27/3248 , H01L27/3265 , H01L29/4908
Abstract: 本发明公开了一种平板显示装置和制造该平板显示装置的方法,该平板显示装置包括:在基板上的栅电极;顺序堆叠在所述栅电极上的第一绝缘层和包括透明导电氧化物的半导体层;在所述栅电极延伸所在的平面上延伸的电容器第一电极以及在所述半导体层延伸所在的平面上延伸并且包括所述半导体层的材料的电容器第二电极,其中所述第一绝缘层在所述电容器第二电极与所述电容器第一电极之间;通过第二绝缘层隔开并且被连接到所述半导体层和所述电容器第二电极的源电极和漏电极;覆盖所述源电极和漏电极的第三绝缘层;以及在所述第三绝缘层上并且被电连接到所述源电极和所述漏电极之一的像素电极。
-
公开(公告)号:CN102222699A
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN201110069566.6
申请日:2011-03-17
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L27/02 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F1/1368 , H01L27/1255 , H01L29/42384
Abstract: 实施例涉及一种具有改进的开口率和电容的显示设备,其中所述显示设备可以包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:有源层;栅电极;电连接到所述有源层的源电极;电连接到所述有源层的漏电极;以及形成在所述有源层与所述栅电极之间的栅极绝缘材料,其中所述栅极绝缘材料包括第一层、第二层和第三层;其中所述第二层具有所述第一层的厚度的大约0.1倍到大约1.5倍之间的厚度;并且其中所述第三层具有所述第二层的厚度的大约2倍到大约12倍之间的厚度。
-
-
-