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公开(公告)号:CN102569340A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110318414.5
申请日:2011-10-19
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L21/00 , H01L27/14 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L29/18 , H01L2227/323
Abstract: 提供了一种有机发光显示设备及其制造方法。一种有机发光显示设备,包括:基板;薄膜晶体管,形成在基板上,并且包括有源层、包括栅下电极和栅上电极的栅电极、源电极以及漏电极;有机发光器件,电连接至所述薄膜晶体管,其中顺序沉积由与所述栅电极的至少一部分相同的材料形成在同一层中的像素电极、包括发光层的中间层以及被布置为面对所述像素电极的对电极;以及第一焊盘电极和第二焊盘电极,所述第一焊盘电极由与所述栅上电极相同的材料形成在同一层中,所述第二焊盘电极由与所述源电极和所述漏电极相同的材料形成在同一层中,并且包括预定的离子被掺入与面对所述基板的表面相对的表面中的离子掺杂层。
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公开(公告)号:CN102487070A
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN201110251328.7
申请日:2011-08-23
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L27/1288 , H01L27/326 , H01L51/5262 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供了一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括:基底,在基底中限定有发光区和薄膜晶体管(TFT)区;多层绝缘膜,形成在基底上。折射率仅在绝缘膜之间的界面中的对应于发光区并形成在基底和有机电致发光显示元件的第一电极之间的一个界面处改变,并且折射率在对应于TFT区的绝缘膜之间的两个或更多个界面处改变。
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公开(公告)号:CN102569665A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110399563.9
申请日:2011-11-24
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor: 李俊雨
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L29/4908 , H01L51/0023 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示装置及其制造方法,在该有机发光显示装置中,通过从源电极和漏电极延伸而形成像素电极,电容器包括形成在像素电极下方的薄的上电容器电极并构成金属-绝缘体-金属(MIM)CAP结构,从而简化了制造工艺,增大了开口率并提高了电压设计容限。
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公开(公告)号:CN102544057A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110279619.7
申请日:2011-09-20
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136227 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2227/323
Abstract: 根据本发明的一方面提供了有机发光显示装置,其包括:薄膜晶体管,具有活性层、栅电极以及源电极和漏电极,所述源电极和漏电极电连接于所述活性层;像素电极,形成于与所述栅电极相同的层;发光层,形成于所述像素电极上;钝化层,形成于所述源电极和漏电极的上部以及排线的上部,所述排线形成于与所述源电极和漏电极相同的层;有机绝缘层,覆盖所述薄膜晶体管,具有露出所述像素电极上部的开口,形成为直接与所述钝化层接触;以及相对电极,形成于所述发光层上,与所述像素电极相对地直接接触于所述有机绝缘层上。
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公开(公告)号:CN101997025A
公开(公告)日:2011-03-30
申请号:CN201010253946.0
申请日:2010-08-12
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1225 , H01L27/3262
Abstract: 本发明涉及有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。所述OLED显示器包括:基板主体;第一栅极和第二半导体层;在第一栅极和第二半导体层上的栅绝缘层;分别覆盖在第一栅极和第二半导体层上的第一半导体层和第二栅极;接触第一半导体层的不同部分的蚀刻阻挡层;在第一半导体层和第二栅极上的夹层绝缘层,所述夹层绝缘层包括分别使多个蚀刻阻挡层暴露的接触孔;在夹层绝缘层和接触孔上的第一源极和第一漏极,且第一源极和第一漏极通过蚀刻阻挡层与第一半导体层间接连接,或者与第一半导体层直接连接;以及在夹层绝缘层上与第二半导体层连接的第二源极和第二漏极。
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