公开(公告)号：CN103165685A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210534069.3

申请日：2012-12-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐京真 ,  丁炳国 ,  金贤钟 ,  朴敏 ,  李昌浩 ,  李尚洹

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了一种光伏装置以及一种制造该光伏装置的方法，该装置包括：半导体基底，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面；氮化硅的间隙绝缘层，在半导体基底的第一表面上，间隙绝缘层的接近半导体基底的部分具有与间隙绝缘层的远离半导体基底的部分中的硅:氮比不同的硅:氮比；半导体结构，在半导体基底的第一表面上；以及电极，在半导体结构上。