公开(公告)号：CN103165685A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210534069.3

申请日：2012-12-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐京真 ,  丁炳国 ,  金贤钟 ,  朴敏 ,  李昌浩 ,  李尚洹

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了一种光伏装置以及一种制造该光伏装置的方法，该装置包括：半导体基底，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面；氮化硅的间隙绝缘层，在半导体基底的第一表面上，间隙绝缘层的接近半导体基底的部分具有与间隙绝缘层的远离半导体基底的部分中的硅:氮比不同的硅:氮比；半导体结构，在半导体基底的第一表面上；以及电极，在半导体结构上。

公开(公告)号：CN103840020A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310593814.6

申请日：2013-11-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金贤钟

IPC: H01L31/0264 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括基底、在所述基底上的背电极层、在所述背电极层上的光吸收层、在所述光吸收层上的缓冲层、在所述缓冲层上的透明电极层和在所述透明电极上的抗反射层。所述光吸收层拥有具有渐变带隙能量分布的第一区域、具有渐变带隙能量分布的第二区域、以及在所述第一区域和所述第二区域之间的具有基本上平坦的带隙能量分布的第三区域。这样的带隙能量分布容许价带向导带的容易激发，同时还防止电子和空穴在所述光吸收层中结合，由此提高所述太阳能电池的效率。

公开(公告)号：CN102386248A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110196575.1

申请日：2011-07-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  朴用永 ,  金琏熙 ,  梁祐荣 ,  金贤钟

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/068 ,  C03C8/18 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池和一种制造太阳能电池的方法，所述太阳能电池包括：半导体基底；钝化膜，设置在所述半导体基底的一侧上；保护层，设置在所述钝化膜的与所述半导体基底相对的一侧上；电极，设置在所述保护层的与所述钝化膜相对的一侧上，其中，所述电极包括含有玻璃料和导电材料的导电糊的产物，其中，所述保护层包含吉布斯自由能的绝对值比所述玻璃料的每个组分的吉布斯自由能的绝对值小的材料。