公开(公告)号：CN103165685A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210534069.3

申请日：2012-12-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐京真 ,  丁炳国 ,  金贤钟 ,  朴敏 ,  李昌浩 ,  李尚洹

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了一种光伏装置以及一种制造该光伏装置的方法，该装置包括：半导体基底，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面；氮化硅的间隙绝缘层，在半导体基底的第一表面上，间隙绝缘层的接近半导体基底的部分具有与间隙绝缘层的远离半导体基底的部分中的硅:氮比不同的硅:氮比；半导体结构，在半导体基底的第一表面上；以及电极，在半导体结构上。

公开(公告)号：CN103811572A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310560386.7

申请日：2013-11-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜允默 ,  朴商镇 ,  李斗烈 ,  金亨基 ,  牟灿滨 ,  朴暎相 ,  徐京真 ,  金珉圣 ,  洪俊基 ,  任兴均 ,  宋珉澈 ,  朴省赞 ,  金东燮

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022466

Abstract: 本发明提供了一种光电装置及其制造方法。该光电装置包括：半导体基底，包括单晶硅并具有彼此相反的第一表面和第二表面；掺杂单元，形成在半导体基底的第一表面上；以及绝缘层，形成在掺杂单元和半导体基底的第二表面之间，其中，掺杂单元包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括掺杂在单晶硅中的第一掺杂剂，第二半导体层包括掺杂在单晶硅中的第二掺杂剂。