公开(公告)号：CN101013642A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610143365.5

申请日：2006-11-06

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 崔濬熙 ,  姜昊锡 ,  白瓉郁 ,  金河钟

IPC分类号： H01J9/02 ,  H01J9/00 ,  H01J31/12

CPC分类号： H01J9/025 ,  H01J3/021

摘要： 本发明提供制造场发射装置(FED)的方法，其中光掩模构图工艺的数目低并且FED的制造产率能够提高。该方法包括：在基板上顺序形成阴极层、第一绝缘层、以及栅极电极层；在栅极电极层上形成保护层以覆盖栅极电极层的顶面；通过蚀刻保护层和栅极电极层的预定部分暴露第一绝缘层的部分以形成在至少一行内的多个第一开口孔；形成第二绝缘层、聚焦电极层、光致抗蚀剂层；通过构图光致抗蚀剂层及使用光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模暴露第二绝缘层的部分以形成分别对应于第一开口孔的行的第二开口孔；通过从第二绝缘层的暴露表面蚀刻到第一绝缘层的底表面形成暴露阴极层的部分的发射器孔；去除光致抗蚀剂层；及在阴极层的暴露表面上形成电子发射发射器。