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公开(公告)号：CN100521061C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200410056695.1
申请日：2004-08-12
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J9/148 , H01J29/481 , H01J2201/30469
摘要： 提供一种含有碳纳米管发射极的场发射显示器(FED)及其制造方法。围绕CNT发射极的栅极叠层包括覆盖邻近CNT发射极的发射极电极的掩模层，以及形成在掩模层上的栅极绝缘膜、栅电极、第一氧化硅膜(SiOX，X＜2)和聚焦栅电极。第一氧化硅膜的厚度为2μm或更大，并且优选3～15μm。用于形成第一氧化硅膜和/或栅极绝缘膜的硅烷和硝酸的流速分别保持在50～700scmm和700～4，500sccm。
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公开(公告)号：CN100483933C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200510071636.6
申请日：2005-02-08
申请人： 三星SDI株式会社
摘要： 提供了一种场致发射RF放大器。该场致发射RF放大器包括衬底上的RF放大单元。该RF放大单元包括阴极，形成在衬底上；栅极，形成在衬底上的阴极旁边并以预定距离与阴极隔开；阳极，以与阴极相对的方向形成在衬底上的栅极旁边；电子发射源，位于阴极上，该电子发射源借助电场发射电子；以及反射电极，形成在衬底之上并与衬底平行。RF信号输入端和DC阴极偏压电连接到阴极，并且RF输出端和DC阳极偏压电连接到阳极。
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公开(公告)号：CN1638008A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410098249.7
申请日：2004-11-30
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J29/481 , H01J2201/30469 , H01J2329/00 , Y10S977/939
摘要： 本发明公开一种场发射器件、采用该器件的显示器及其制造方法。该场发射器件，包括：玻璃衬底；形成在玻璃衬底上的发射器电极；形成在发射器电极上的碳纳米管(CNT)发射器；以及，绕CNT发射器形成的栅极叠层，其从CNT发射器提取电子束，并将提取出的电子束聚焦到给定位置。所述栅极叠层包括：覆盖所述发射器电极的掩膜层，其绕CNT发射器形成；形成在所述掩膜层并具有预定高度的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层的倾斜面上的镜面电极；形成在所述栅极绝缘层上并且与所述镜面电极间隔开的栅极；以及，顺序形成在所述栅极上的聚焦栅极绝缘层和聚焦栅极。
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公开(公告)号：CN101162678A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710091800.9
申请日：2007-04-11
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： H01J1/74 , H01J1/70 , H01J31/127 , H01J2329/28
摘要： 本发明提供一种场发射装置的阳极面板。该阳极面板包括衬底、形成在衬底下表面上的阳极电极、形成在阳极电极下表面上并且相对于一个像素具有多个开口的黑矩阵、覆盖对应每个像素的开口和开口之间的黑矩阵的具有预定颜色的荧光体层、以及形成在荧光体层下表面上的反射层。
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公开(公告)号：CN101013642A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610143365.5
申请日：2006-11-06
申请人： 三星SDI株式会社
摘要： 本发明提供制造场发射装置(FED)的方法，其中光掩模构图工艺的数目低并且FED的制造产率能够提高。该方法包括：在基板上顺序形成阴极层、第一绝缘层、以及栅极电极层；在栅极电极层上形成保护层以覆盖栅极电极层的顶面；通过蚀刻保护层和栅极电极层的预定部分暴露第一绝缘层的部分以形成在至少一行内的多个第一开口孔；形成第二绝缘层、聚焦电极层、光致抗蚀剂层；通过构图光致抗蚀剂层及使用光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模暴露第二绝缘层的部分以形成分别对应于第一开口孔的行的第二开口孔；通过从第二绝缘层的暴露表面蚀刻到第一绝缘层的底表面形成暴露阴极层的部分的发射器孔；去除光致抗蚀剂层；及在阴极层的暴露表面上形成电子发射发射器。
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公开(公告)号：CN1750222A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510099039.4
申请日：2005-09-05
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： H01J3/022 , H01J9/025 , H01J29/028 , H01J29/06 , H01J2329/00
摘要： 提供了一种场致发射装置及其制造方法。所述场致电子发射装置包括衬底；形成于所述衬底的上表面具有阴极孔的阴极，所述阴极孔具有预定高度；在所述阴极的上表面形成的具有第一通孔的材料层，所述第一通孔的直径小于阴极孔的直径；形成于所述材料层的上表面的具有第一空腔的第一绝缘体；形成于第一绝缘体的上表面的具有第二通孔的栅极电极；以及在所述阴极孔的中央部分形成的发射器。
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公开(公告)号：CN1882204A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610093763.0
申请日：2006-06-19
申请人： 三星SDI株式会社
IPC分类号： H05B33/02
CPC分类号： H01J31/123 , H01J1/304 , H01J2201/30446
摘要： 本发明提供了铁电冷阴极和包括其的铁电场致发射装置。该铁电冷阴极包括：基板；下电极层，其由该基板的上表面上的导电材料形成；铁电层，其由该下基板的上表面上的铁电材料形成；和超细线性材料网，其形成该铁电层上的上电极，并且通过分布在网结构中的超细线性导电材料粒子形成的多个网孔外露该铁电层上表面的一部分。
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公开(公告)号：CN1581416A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410056695.1
申请日：2004-08-12
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J9/148 , H01J29/481 , H01J2201/30469
摘要： 提供一种含有碳纳米管发射极的场发射显示器(FED)及其制造方法。围绕CNT发射极的栅极叠层包括覆盖邻近CNT发射极的发射极电极的掩模层，以及形成在掩模层上的栅极绝缘膜、栅电极、第一氧化硅膜(SiOX，X＜2)和聚焦栅电极。第一氧化硅膜的厚度为2μm或更大，并且优选3～15μm。用于形成第一氧化硅膜和/或栅极绝缘膜的硅烷和硝酸的流速分别保持在50～700scmm和700～4,500sccm。
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公开(公告)号：CN1869789A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610085049.7
申请日：2006-05-22
申请人： 三星SDI株式会社
IPC分类号： G02F1/13357
摘要： 提供了一种热电子发射背光装置，包括：彼此隔开预定距离平行设置的第一基板和第二基板；第一阳极电极和面对所述第一阳极电极的第二阳极电极，所述第一阳极电极和第二阳极电极分别形成在所述第一基板和所述第二基板的内表面上；在所述第一基板和所述第二基板之间以预定间隔设置并彼此平行的多个阴极电极；形成在所述第二阳极电极上的荧光层；以及，设置在所述第一基板与所述第二基板之间从而保持其间所述预定距离的多个间隔物，其中，当预定电压施加到所述阴极电极时，从所述阴极电极发射出热电子。
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公开(公告)号：CN1728326A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510006492.6
申请日：2005-01-12
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： H01J31/127 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J29/04 , H01J29/481 , H01J2201/30469
摘要： 本发明提供一种含有碳纳米管发射器的场致发射显示器(FED)及其制造方法。环绕CNT发射器的栅重叠包括覆盖与CNT发射器邻接的发射器电极的掩膜层、和栅绝缘膜、栅电极、第一氧化硅膜(SiOX，X＜2)和在掩膜层上形成的聚焦栅电极。掩膜层的高度大于CNT发射器的高度。第一氧化硅膜具有2μm或更大的厚度，并且优选为3～15μm。在第一氧化硅膜和/或栅绝缘膜的形成工艺中，硅烷的流率维持在50～700sccm，并且硝酸(N2O)的流率维持在700～4500sccm。
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