公开(公告)号：CN101013642A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610143365.5

申请日：2006-11-06

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 崔濬熙 ,  姜昊锡 ,  白瓉郁 ,  金河钟

IPC分类号： H01J9/02 ,  H01J9/00 ,  H01J31/12

CPC分类号： H01J9/025 ,  H01J3/021

摘要： 本发明提供制造场发射装置(FED)的方法，其中光掩模构图工艺的数目低并且FED的制造产率能够提高。该方法包括：在基板上顺序形成阴极层、第一绝缘层、以及栅极电极层；在栅极电极层上形成保护层以覆盖栅极电极层的顶面；通过蚀刻保护层和栅极电极层的预定部分暴露第一绝缘层的部分以形成在至少一行内的多个第一开口孔；形成第二绝缘层、聚焦电极层、光致抗蚀剂层；通过构图光致抗蚀剂层及使用光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模暴露第二绝缘层的部分以形成分别对应于第一开口孔的行的第二开口孔；通过从第二绝缘层的暴露表面蚀刻到第一绝缘层的底表面形成暴露阴极层的部分的发射器孔；去除光致抗蚀剂层；及在阴极层的暴露表面上形成电子发射发射器。

公开(公告)号：CN1750222A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510099039.4

申请日：2005-09-05

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 姜昊锡 ,  崔濬熙 ,  宋炳权 ,  金河钟

IPC分类号： H01J29/04 ,  H01J29/02 ,  H01J1/304 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02

CPC分类号： H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J29/028 ,  H01J29/06 ,  H01J2329/00

摘要： 提供了一种场致发射装置及其制造方法。所述场致电子发射装置包括衬底；形成于所述衬底的上表面具有阴极孔的阴极，所述阴极孔具有预定高度；在所述阴极的上表面形成的具有第一通孔的材料层，所述第一通孔的直径小于阴极孔的直径；形成于所述材料层的上表面的具有第一空腔的第一绝缘体；形成于第一绝缘体的上表面的具有第二通孔的栅极电极；以及在所述阴极孔的中央部分形成的发射器。

公开(公告)号：CN1869789A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610085049.7

申请日：2006-05-22

申请人： 三星SDI株式会社

发明人： 崔濬熙 ,  郑得锡 ,  宋炳权 ,  安德雷·佐尔卡尼夫 ,  白瓒郁 ,  金河钟 ,  申文珍 ,  姜昊锡

IPC分类号： G02F1/13357

CPC分类号： H01J63/02 ,  H01J63/04

摘要： 提供了一种热电子发射背光装置，包括：彼此隔开预定距离平行设置的第一基板和第二基板；第一阳极电极和面对所述第一阳极电极的第二阳极电极，所述第一阳极电极和第二阳极电极分别形成在所述第一基板和所述第二基板的内表面上；在所述第一基板和所述第二基板之间以预定间隔设置并彼此平行的多个阴极电极；形成在所述第二阳极电极上的荧光层；以及，设置在所述第一基板与所述第二基板之间从而保持其间所述预定距离的多个间隔物，其中，当预定电压施加到所述阴极电极时，从所述阴极电极发射出热电子。