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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101665257A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910173050.9
申请日：2009-09-04
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供了形成保护层的材料、保护层及等离子体显示面板。用于形成保护层的材料、使用该材料的保护层以及具有该保护层的等离子体显示面板(PDP)被公开。与使用加压人造气体条件下制造的MgO的常规保护层不同，本发明的保护层使用的MgO是通过加热Mg并使其在空气中自然氧化而制造的。结果是该MgO具有很少的缺陷，其在许多应用中作为保护层更高效，例如在PDP中。本发明的MgO还表现出许多特定的光谱特性，并且所包含的每种杂质的含量都少于约2ppm。本发明还公开了一种PDP，其利用了本发明的保护层的优点。
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公开(公告)号：CN101383255A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810214874.1
申请日：2008-09-03
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供了一种保护层及其制造方法和包括这种保护层的等离子体显示板。保护层由氧化镁层和形成在氧化镁层上的电子发射促进材料组成。电子发射促进材料可在氧化镁层上被图案化，或者可被喷射和热处理到氧化镁层的表面上。保护层表现出卓越的电子发射特性而基本不受等离子体的损坏，从而改善了PDP的可靠性。
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公开(公告)号：CN101459022B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810183768.1
申请日：2008-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/02 , H01J11/12 , H01J11/40 , Y10T428/258
Abstract: 本发明涉及等离子体显示面板(PDP)的保护层，制备该保护层的方法，和包括该保护层的PDP。保护层包含可以使具有镁空位杂质中心(VIC)的含镁氧化物颗粒附着其上的表面的含镁氧化物层。保护层可以阻挡等离子体离子且具有极好的电子发射效应，因此，包含该保护层的PDP可以在具有高放电效率的低电压下工作。
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公开(公告)号：CN101459022A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810183768.1
申请日：2008-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/02 , H01J11/12 , H01J11/40 , Y10T428/258
Abstract: 本发明涉及等离子体显示面板(PDP)的保护层，制备该保护层的方法，和包括该保护层的PDP。保护层包含可以使具有镁空位杂质中心(VIC)的含镁氧化物颗粒附着其上的表面的含镁氧化物层。保护层可以阻挡等离子体离子且具有极好的电子发射效应，因此，包含该保护层的PDP可以在具有高放电效率的低电压下工作。
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公开(公告)号：CN101256922A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810080658.2
申请日：2008-02-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 用于制备PDP保护层的材料，其减少放电延迟时间、改进温度依赖性以及具有增强的离子强度；制备该材料的方法；由该材料形成的保护层；和包括该保护层的PDP。更具体地，包括以2.0×10－5－1.0×10－2重量份/1重量份氧化镁(MgO)的量的掺杂有稀土元素的单晶氧化镁的用于保护层的材料，通过在约2,800℃下使其结晶制备该单晶氧化镁的方法，由该材料形成的保护层，以及包括该保护层的PDP。
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