公开(公告)号：CN1479383A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN03147849.2

申请日：2003-06-25

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 菊地修一 ,  上原正文 ,  西部荣次 ,  安斋胜义

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L29/66659 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/7835

摘要： 一种半导体装置及其制造方法，提高高耐压MOS晶体管的静电破坏耐量。在MOS晶体管的N+型漏层(9)下不形成N－型漏层(11)，且在N+型漏层(9)下的区域形成P+型埋入层(11)。在N+型漏层(9)和P+型埋入层(11)之间形成高浓度的PN结。即，局部形成结耐压小的区域。因此，在栅极(6)下的N－型漏层(2)热破坏前，浪涌电流通过该PN结逃逸到硅衬底1。其结果可提高ESD耐量。

公开(公告)号：CN1240139C

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN03147849.2

申请日：2003-06-25

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 菊地修一 ,  上原正文 ,  西部荣次 ,  安斋胜义

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L29/66659 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/7835

摘要： 一种半导体装置及其制造方法，提高高耐压MOS晶体管的静电破坏耐量。在MOS晶体管的N+型漏层(9)下不形成N-型漏层(11)，且在N+型漏层(9)下的区域形成P+型埋入层(11)。在N+型漏层(9)和P+型埋入层(11)之间形成高浓度的PN结。即，局部形成结耐压小的区域。因此，在栅极(6)下的N-型漏层(2)热破坏前，浪涌电流通过该PN结逃逸到硅衬底1。其结果可提高ESD耐量。

公开(公告)号：CN100429787C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN03147846.8

申请日：2003-06-25

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 菊地修一 ,  上原正文 ,  西部荣次 ,  安斋胜义

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L29/0626 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7835

摘要： 一种半导体装置及其制造方法，提高高耐压MOS晶体管的静电破坏耐量。在N+型的第一漏层(11)下不形成N-型漏层(2A、2B)，且在N+型的第一漏层(11)下的区域形成深的N+型的第二漏层(3)。N+型的第一漏层(11)和第二漏层(3)形成一体，作为比N+型源层(10)深的N+层，其体积增加。由此，浪涌电流的热分散在该N+层上，提高了对浪涌电流热破坏的抵抗力。另外，在N+型的第二漏层(3)下的区域形成P+型埋入层(3)。在栅极(8)下的N-型漏层(2A)热破坏前，浪涌电流通过该PN结，逃逸到硅衬底(1)。其结果可进一步提高ESD耐量。

公开(公告)号：CN1479382A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN03147846.8

申请日：2003-06-25

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 菊地修一 ,  上原正文 ,  西部荣次 ,  安斋胜义

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L29/0626 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7835

摘要： 一种半导体装置及其制造方法，提高高耐压MOS晶体管的静电破坏耐量。在N+型的第一漏层11下不形成N－型漏层2A、2B，且在N+型的第一漏层11下的区域形成深的N+型的第二漏层3。N+型的第一漏层11和第二漏层3形成一体，作为比N+型源层10深的N+层，其体积增加。由此，浪涌电流的热分散在该N+层上，提高了对浪涌电流热破坏的抵抗力。另外，在N+型的第二漏层3下的区域形成P+型埋入层3。在栅极8下的N－型漏层2A热破坏前，浪涌电流通过该PN结，逃逸到硅衬底1。其结果可进一步提高ESD耐量。