公开(公告)号：CN100420035C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200510089557.8

申请日：2005-07-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石贺展昭 ,  吉田卓司 ,  升谷雄一 ,  永野慎吾

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/133555 ,  G02F2001/136236 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/124

Abstract: 不需要增加掩模枚数而能够提供一种具备薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述薄膜晶体管是将由含有铝的上层和下层金属层的叠层加工形成的漏极电极兼作反射电极并且漏极电极和象素电极间的接触电阻低。在构成下层的金属膜和上层的铝膜的叠层结构的漏极进行曝光时，通过改变仅一部分区域的曝光量，形成抗蚀剂厚度比其他区域薄的区域之后，与通常相同地形成图案。此后，完全去除该区域的抗蚀剂，仅对露出的铝膜进行选择性蚀刻去除。在该区域设置接触孔，通过该接触孔使得与象素电极电连接，其中，该接触孔形成于漏极电极上的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN1869795A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610067375.5

申请日：2006-03-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中堀正树 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  吉田卓司

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133371 ,  G02F1/136227

Abstract: 提供一种能够不降低反射率、不增加步骤数、以较低成本、并且抑制电池腐蚀的产生而以较高的成品率制造出来的不产生闪烁或者液晶烧毁的液晶显示装置。以相同的掩模图形对反射像素电极(11)(第3金属膜)和其上层的第2透明导电膜(12)进行构图，使用相同的刻蚀液一并进行湿法刻蚀处理。将第2透明导电膜(12)的膜厚制作成大于等于5nm而小于等于15nm，由此，可防止显影液对反射像素电极的侵蚀，防止基底的像素电极发生电池反应所引起的腐蚀，以高成品率进行制造。并且，可减小与对置电极衬底的透明公共电极的功函数差，无需增加步骤数并以较低成本即可制造出不产生闪烁或者液晶烧毁的液晶显示装置。

公开(公告)号：CN1727977A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510089557.8

申请日：2005-07-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石贺展昭 ,  吉田卓司 ,  升谷雄一 ,  永野慎吾

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/133555 ,  G02F2001/136236 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/124

Abstract: 不需要增加掩模枚数而能够提供一种具备薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述薄膜晶体管是将由含有铝的上层和下层金属层的叠层加工形成的漏极电极兼作反射电极并且漏极电极和象素电极间的接触电阻低。在构成下层的金属膜和上层的铝膜的叠层结构的漏极进行曝光时，通过改变仅一部分区域的曝光量，形成抗蚀剂厚度比其他区域薄的区域之后，与通常相同地形成图案。此后，完全去除该区域的抗蚀剂，仅对露出的铝膜进行选择性蚀刻去除。在该区域设置接触孔，通过该接触孔使得与象素电极电连接，其中，该接触孔形成于漏极电极上的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN100421014C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200410084170.9

申请日：2004-10-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宮本贤一 ,  松井泰志 ,  日野辉重 ,  石贺展昭 ,  吉田卓司

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种可提高通过低电阻布线和出色的反射特性而具有良好显示特性的反射型及半透过型液晶显示板的制造合格率，同时可以简化工序的制造方法。本发明的反射型液晶显示装置的制造方法包括：在透明绝缘基板上形成第一金属薄膜构成的栅极布线和栅电极的第一工序；形成半导体层的第二工序；形成第二金属薄膜构成的源极布线、源电极、漏电极以及薄膜晶体管的沟道部的第三工序；形成层间绝缘膜并分别形成像素电极部表面上的凹凸形状、和接触孔的第四工序；以及成膜第三金属薄膜形成像素电极的第五工序，所述第一金属薄膜为双层膜，由AlNd膜和形成于该AlNd膜上层且添加了氮、碳或氧中的至少一种元素的AlNd膜构成。

公开(公告)号：CN1912738A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610107794.7

申请日：2006-07-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田卓司 ,  木村初美 ,  石贺展昭 ,  山部贵人 ,  荒木利夫

IPC: G03F1/08 ,  G02B5/20 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明提供即使在使用具有氧化铬膜的遮光膜时也具有良好蚀刻剖面的带遮光膜基板、彩色滤光片基板及显示装置以及它们的制造方法。本发明一实施方式涉及的带遮光膜基板是具有在基板1上形成的遮光膜10图案的带遮光膜基板，遮光膜10具备含有铬氧化物的第1膜2和含有铬的设置于第1膜2上的第2膜3，遮光膜10的剖面形状具有正锥形。遮光膜10的蚀刻可以使用在硝酸铈铵中至少含有硝酸2.5摩尔/升以上浓度的药液来进行。

公开(公告)号：CN1609689A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410084170.9

申请日：2004-10-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宮本贤一 ,  松井泰志 ,  日野辉重 ,  石贺展昭 ,  吉田卓司

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

Abstract: 提供一种可提高通过低电阻布线和出色的反射特性而具有良好显示特性的反射型及半透过型液晶显示板的制造合格率，同时可以简化工序的制造方法。本发明的反射型液晶显示装置的制造方法包括：在透明绝缘基板上形成第一金属薄膜构成的栅极布线和栅电极的第一工序；形成半导体层的第二工序；形成第二金属薄膜构成的源极布线、源电极、漏电极以及薄膜晶体管的沟道部的第三工序；形成层间绝缘膜并分别形成像素电极部表面上的凹凸形状、和接触孔的第四工序；以及成膜第三金属薄膜形成像素电极的第五工序，所述第一金属薄膜为双层膜，由AlNd膜和形成于该AlNd膜上层且添加了氮、碳或氧中的至少一种元素的AlNd膜构成。