公开(公告)号：CN1869796A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610068241.5

申请日：2006-03-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中堀正树 ,  内田祐介 ,  长山显祐 ,  石贺展昭

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/13439 ,  H01L27/14621

Abstract: 本发明的目的在于：提供一种液晶显示装置，即使使用预定的蚀刻剂，按预定的形状图形化非晶质的导电性膜，形成保护绝缘膜使之覆盖该图形化了的导电性膜，也能够防止该保护绝缘膜的异常生长。本发明的一个例子的液晶显示装置，在上面形成有薄膜晶体管的玻璃基板1与在上面形成有对置电极的滤色基板16之间，密封液晶。而且，像素电极10与薄膜晶体管的漏电极连接。此外，通过具有透明性的保护绝缘膜13覆盖像素电极10。该像素电极10具有包含In与Zn的氧化化合物。

公开(公告)号：CN100573885C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200710106375.6

申请日：2007-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  河濑和雅

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供一种能够不经由高熔点金属膜地使以Al为主要成分的电极、布线与透明电极层直接接触的半导体器件和制造方法。本发明的半导体器件是在绝缘基板上至少具备半导体层、与上述半导体层电连接的Al合金膜、以及与上述Al合金膜直接接触的透明电极层的半导体器件，其中，上述Al合金膜含有合计0.5～10mol%的从Fe、Co、Ni中选出的一种以上的元素，剩余部分实质上由Al构成。

公开(公告)号：CN101393905A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810160924.2

申请日：2008-09-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  津村直树 ,  中畑匠

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L23/53219 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/12438 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及Al合金膜、电子器件以及光电显示装置用有源矩阵衬底。提供一种防止与ITO或Si的界面扩散并且能够应用于要求低温工艺的各种电子器件中的低电阻的电极膜用Al合金膜。本发明一个实施方式的Al合金膜包含由Ni构成的第一添加元素和由属于元素周期表的第二周期或第三周期的2a族的碱土金属、3b、4b族的半金属中选择的至少一种以上的第二添加元素。并且，第一添加元素的组成比是0.5～5at％，第二添加元素的组成比是0.1～3at％。

公开(公告)号：CN101388371B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200810173789.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  津村直树 ,  中畑匠 ,  河濑和雅

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  C23C14/14

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、显示装置及半导体器件的制造方法。提供一种Al合金膜，无需采用高熔点金属形成阻挡层，实现了与Si膜或以Si为主成分的膜的良好接触特性。半导体器件包括：以硅为主成分的膜；以及与以硅为主成分的膜、例如欧姆性低电阻Si膜(8)直接连接、并在连接界面附近至少含有Al、Ni和N的铝合金膜，例如源电极(9)或漏电极(10)。铝合金膜无需采用高熔点金属形成为阻挡层，与以硅为主成分的膜直接连接，并具有良好的接触特性。

公开(公告)号：CN101097948A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710127331.1

申请日：2007-07-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  竹口彻 ,  河濑和雅

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01B1/00 ,  H01B1/08

CPC classification number: H01J29/28 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13458 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供一种能够使由Al或者Al合金膜形成的电极或布线与透明电极层直接接触、且可靠性、生产率优越的半导体器件。本发明的透明导电膜是实质上由In2O3、SnO2以及ZnO构成的透明导电膜，摩尔比In/(In+Sn+Zn)为0.65～0.8，且摩尔比Sn/Zn为1以下。该透明导电膜具有与由Al或者Al合金膜形成的电极或布线良好的接触特性。另外，具有该透明导电膜和由Al或者Al合金膜形成的电极或布线的半导体器件可靠性、生产率优越。

公开(公告)号：CN1869795A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610067375.5

申请日：2006-03-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中堀正树 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  吉田卓司

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133371 ,  G02F1/136227

Abstract: 提供一种能够不降低反射率、不增加步骤数、以较低成本、并且抑制电池腐蚀的产生而以较高的成品率制造出来的不产生闪烁或者液晶烧毁的液晶显示装置。以相同的掩模图形对反射像素电极(11)(第3金属膜)和其上层的第2透明导电膜(12)进行构图，使用相同的刻蚀液一并进行湿法刻蚀处理。将第2透明导电膜(12)的膜厚制作成大于等于5nm而小于等于15nm，由此，可防止显影液对反射像素电极的侵蚀，防止基底的像素电极发生电池反应所引起的腐蚀，以高成品率进行制造。并且，可减小与对置电极衬底的透明公共电极的功函数差，无需增加步骤数并以较低成本即可制造出不产生闪烁或者液晶烧毁的液晶显示装置。

公开(公告)号：CN101388371A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810173789.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  津村直树 ,  中畑匠 ,  河濑和雅

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  C23C14/14

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、显示装置及半导体器件的制造方法。提供一种Al合金膜，无需采用高熔点金属形成阻挡层，实现了与Si膜或以Si为主成分的膜的良好接触特性。半导体器件包括：以硅为主成分的膜；以及与以硅为主成分的膜、例如欧姆性低电阻Si膜(8)直接连接、并在连接界面附近至少含有Al、Ni和N的铝合金膜，例如源电极(9)或漏电极(10)。铝合金膜无需采用高熔点金属形成为阻挡层，与以硅为主成分的膜直接连接，并具有良好的接触特性。

公开(公告)号：CN1959980A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610143663.4

申请日：2006-10-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石贺展昭 ,  长山显祐 ,  宫本贤一 ,  中堀正树 ,  井上和式

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L29/43 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明的TFT阵列基板(100)包括基板(10)、在基板(10)上按每个像素形成的像素电极(20)和对应于像素电极(20)在基板(10)上形成的TFT元件(30)。而且，与TFT元件(30)连接的电极/布线(31、32、34、331)和电容电极(40)等含有由上层膜(31b、32b、34b、331b)及下层膜(31a、32a、34a、331a)积层而形成的积层体，下层膜(31a)等由包含1种以上的元素周期表第8族元素的铝合金形成，上层膜(31b)等通过在下层膜(31a)等上淀积，用包含1种以上元素周期表第8族元素及氮的铝合金形成。从而，能够以简单的结构简易地实现耐碱性优良、加工精度高的导电体结构。

公开(公告)号：CN1825622A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610008807.5

申请日：2006-02-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 长山显祐 ,  石贺展昭 ,  井上和式 ,  竹口彻 ,  渕上宏幸

IPC: H01L27/32 ,  H05B33/28

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

Abstract: 作为顶面发射型的有机电致发光型显示装置中得到亮图像的手段，有具备高功函数值与高光反射率的阳极来增大发光效率的方法。可考虑将光反射率高的Al合金膜与透光性导电氧化膜层叠的方法，但因为在它们的界面上形成绝缘性氧化物反应层，存在反而降低发光效率的问题。为此，本发明的有机电致发光型显示装置为顶面发射型，其特征在于：在衬底上的显示区域的各像素上，形成TFT和至少依次层叠阳极(16)、电场发光层(18)及阴极(19)的有机EL元件，同时阳极(16)是Al中作为杂质至少包含一种以上VIII族3d过渡金属的Al合金膜(16a)和在其顶层层叠透光性导电氧化膜即非晶质ITO膜(16b)的至少二层膜构成。

公开(公告)号：CN100555641C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200710137041.5

申请日：2007-07-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 长山显祐 ,  石贺展昭

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 提供一种显示质量优良、生产率较高的显示装置。本发明的TFT阵列衬底在衬底(110)上具有栅电极(1)、栅极绝缘膜(3)、半导体层(23)和由透明导电膜(11)构成的源电极(11b)和漏电极(11c)、从漏电极(11c)延伸设置的像素电极(11a)。并且，在透明导电膜(11)上，形成具有到达源电极(11b)的源电极接触孔(27)的层间绝缘膜(8)和源极布线(22)。还具有通过源电极接触孔(27)与源电极(11b)连接的源极布线(22)。