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公开(公告)号：CN103105711B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210446168.6
申请日：2012-11-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/02 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/1345 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及布线构造和具备其的薄膜晶体管阵列基板以及显示装置。提供一种能抑制在透明导电膜上的绝缘膜的膜浮动的发生并且能得到透明导电膜和金属膜的良好的电连接性的布线构造。在分别作为布线发挥作用的第一导电膜（2）和第二导电膜（5）连接的布线变换部（45）中，在第二导电膜（5）的内侧形成挖通部（13）。设置在第二导电膜（5）之上的第一透明导电膜（6）以覆盖第二导电膜（5）的上表面以及露出到挖通部（13）中的端面并且不覆盖第二导电膜（5）的外周端面的方式形成。通过第一透明导电膜（6）的上层的第二透明导电膜（7）与第二导电膜（5）和第一导电膜（2）连接，从而第一导电膜（2）和第二导电膜（5）电连接。
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公开(公告)号：CN103091915B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210440476.8
申请日：2012-11-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/02 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1345 , G02F1/136286 , G02F2001/134372 , G02F2001/136231 , G02F2001/136295 , H01L29/41733 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供一种能抑制透明导电膜上的绝缘膜产生膜浮起，且得到透明导电膜与金属膜的良好的电连接性的布线构造。在和分别作为布线起作用的第一导电膜(2)与第二导电膜(5)连接的布线转换部(45)中，第一透明导电膜(6)具有在该第一透明导电膜(6)的角部附近不覆盖第二导电膜(5)的端面，在角部附近以外覆盖第二导电膜(5)的端面的部分。第一透明导电膜(6)的上层的第二透明导电膜(7)通过与第二导电膜(5)和第一导电膜(2)连接，第一导电膜(2)与第二导电膜(5)被电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103869567A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310523328.7
申请日：2013-10-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/134372
Abstract: 本发明涉及阵列基板和具备该阵列基板的显示装置。其目的在于提供一种能提高像素的开口率、进而能提高显示质量的技术。阵列基板（AR）具备：第一电极（E1），隔着第一绝缘膜（24）形成在开关元件（W）上；第二电极（E2），隔着第二绝缘膜（26）形成在第一电极（E1）上；连接部（27），以贯通第一绝缘膜（24）、第一电极（E1）以及第二绝缘膜（26）的方式设置，将开关元件（W）的漏极电极（WD）与第二电极（E2）电连接。连接部（27）配置在挖通与开关元件（W）连接的栅极线（Y）而设置的回避区域（28）内。
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公开(公告)号：CN103869567B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310523328.7
申请日：2013-10-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/134372
Abstract: 本发明涉及阵列基板和具备该阵列基板的显示装置。其目的在于提供一种能提高像素的开口率、进而能提高显示质量的技术。阵列基板（AR）具备：第一电极（E1），隔着第一绝缘膜（24）形成在开关元件（W）上；第二电极（E2），隔着第二绝缘膜（26）形成在第一电极（E1）上；连接部（27），以贯通第一绝缘膜（24）、第一电极（E1）以及第二绝缘膜（26）的方式设置，将开关元件（W）的漏极电极（WD）与第二电极（E2）电连接。连接部（27）配置在挖通与开关元件（W）连接的栅极线（Y）而设置的回避区域（28）内。
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公开(公告)号：CN103091915A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210440476.8
申请日：2012-11-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/02 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1345 , G02F1/136286 , G02F2001/134372 , G02F2001/136231 , G02F2001/136295 , H01L29/41733 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供一种能抑制透明导电膜上的绝缘膜产生膜浮起，且得到透明导电膜与金属膜的良好的电连接性的布线构造。在和分别作为布线起作用的第一导电膜(2)与第二导电膜(5)连接的布线转换部(45)中，第一透明导电膜(6)具有在该第一透明导电膜(6)的角部附近不覆盖第二导电膜(5)的端面，在角部附近以外覆盖第二导电膜(5)的端面的部分。第一透明导电膜(6)的上层的第二透明导电膜(7)通过与第二导电膜(5)和第一导电膜(2)连接，第一导电膜(2)与第二导电膜(5)被电连接。
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公开(公告)号：CN101202286A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710159650.0
申请日：2007-11-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/3213 , H01L21/768 , G02F1/1362 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种在形成多种薄膜图形的区域，在同一照相制版工序中进行中间曝光的场合，中间抗蚀剂膜厚的偏差减小，形成中间抗蚀剂膜厚而加工的工艺保留余地增加而成品率提高、成本降低的阵列衬底、显示器、及其制造方法。在阵列衬底(100)中，在由第2导电膜形成的漏电极(8)、源极端子(62)、及共用连接布线(46)上分别具有，采用不完全曝光抗蚀剂(30)的中间曝光量，形成中间抗蚀剂膜厚而加工的区域(H1、H2、H3)。在该区域(H1、H2、H3)的下层的大致整个区域中，以离衬底(1)的高度基本相同的方式形成有由第1导电膜形成的薄膜图形(12、15)或共用布线(3)。
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公开(公告)号：CN103105711A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210446168.6
申请日：2012-11-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/02 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/1345 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及布线构造和具备其的薄膜晶体管阵列基板以及显示装置。提供一种能抑制在透明导电膜上的绝缘膜的膜浮动的发生并且能得到透明导电膜和金属膜的良好的电连接性的布线构造。在分别作为布线发挥作用的第一导电膜（2）和第二导电膜（5）连接的布线变换部（45）中，在第二导电膜（5）的内侧形成挖通部（13）。设置在第二导电膜（5）之上的第一透明导电膜（6）以覆盖第二导电膜（5）的上表面以及露出到挖通部（13）中的端面并且不覆盖第二导电膜（5）的外周端面的方式形成。通过第一透明导电膜（6）的上层的第二透明导电膜（7）与第二导电膜（5）和第一导电膜（2）连接，从而第一导电膜（2）和第二导电膜（5）电连接。
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