公开(公告)号：CN1956162A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610164127.2

申请日：2006-10-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 阪本弘和 ,  荒木利夫 ,  青木理 ,  森田浩正

IPC: H01L21/683

Abstract: 在对会因电荷而产生不良的衬底实施预定处理的工序中，防止该衬底带电，并且进行控制使得在从该衬底除去电荷时流动的电流不超过预定值，结果能提高制造的器件的成品率。本发明的衬底保持装置具有保持衬底201的卡盘101和支撑卡盘101的旋转轴104，用105Ωcm～1010Ωcm的电阻率值的材料形成卡盘101的和衬底201的接触部中电阻率值最低的部分，该电阻率值最低的部分通过旋转轴104接地。

公开(公告)号：CN107735724A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201680039116.3

申请日：2016-06-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岩坂利彦 ,  青木理 ,  井上和式 ,  山县有辅

IPC: G02F1/1343 ,  G02B5/20 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1339 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30

Abstract: 无需追加用于不形成滤色片基板的周边部处的相对电极的工序，维持了阵列基板处的端子配线的绝缘性。显示装置具有：绝缘膜(203)，其是覆盖电极(201)而形成的，该电极(201)形成于阵列基板(200)的表面；氧化物半导体膜，其形成于滤色片基板(100)的表面；以及密封部件(106)，其位于彼此相对的绝缘膜与氧化物半导体膜之间，且将绝缘膜与氧化物半导体膜粘合，将在俯视观察时被密封部件包围的区域设为显示区域，氧化物半导体膜的与显示区域对应的部分是导体，与显示区域的外侧对应的部分是绝缘体。

公开(公告)号：CN100474552C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200610164127.2

申请日：2006-10-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 阪本弘和 ,  荒木利夫 ,  青木理 ,  森田浩正

IPC: H01L21/683

Abstract: 在对会因电荷而产生不良的衬底实施预定处理的工序中，防止该衬底带电，并且进行控制使得在从该衬底除去电荷时流动的电流不超过预定值，结果能提高制造的器件的成品率。本发明的衬底保持装置具有保持衬底201的卡盘101和支撑卡盘101的旋转轴104，用105Ωcm～1010Ωcm的电阻率值的材料形成卡盘101的和衬底201的接触部中电阻率值最低的部分，该电阻率值最低的部分通过旋转轴104接地。

公开(公告)号：CN101202286A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710159650.0

申请日：2007-11-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 升谷雄一 ,  野海茂昭 ,  岛村武志 ,  青木理

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种在形成多种薄膜图形的区域，在同一照相制版工序中进行中间曝光的场合，中间抗蚀剂膜厚的偏差减小，形成中间抗蚀剂膜厚而加工的工艺保留余地增加而成品率提高、成本降低的阵列衬底、显示器、及其制造方法。在阵列衬底(100)中，在由第2导电膜形成的漏电极(8)、源极端子(62)、及共用连接布线(46)上分别具有，采用不完全曝光抗蚀剂(30)的中间曝光量，形成中间抗蚀剂膜厚而加工的区域(H1、H2、H3)。在该区域(H1、H2、H3)的下层的大致整个区域中，以离衬底(1)的高度基本相同的方式形成有由第1导电膜形成的薄膜图形(12、15)或共用布线(3)。

公开(公告)号：CN107735724B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201680039116.3

申请日：2016-06-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岩坂利彦 ,  青木理 ,  井上和式 ,  山县有辅

IPC: G02F1/1343 ,  G02B5/20 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1339 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30

Abstract: 无需追加用于不形成滤色片基板的周边部处的相对电极的工序，维持了阵列基板处的端子配线的绝缘性。显示装置具有：绝缘膜(203)，其是覆盖电极(201)而形成的，该电极(201)形成于阵列基板(200)的表面；氧化物半导体膜，其形成于滤色片基板(100)的表面；以及密封部件(106)，其位于彼此相对的绝缘膜与氧化物半导体膜之间，且将绝缘膜与氧化物半导体膜粘合，将在俯视观察时被密封部件包围的区域设为显示区域，氧化物半导体膜的与显示区域对应的部分是导体，与显示区域的外侧对应的部分是绝缘体。

公开(公告)号：CN1138176C

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN00135291.1

申请日：2000-12-08

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 青木理 ,  小林正直

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明提供了可以得到即便是存在着使a-Si进行pSi化的误发射，也可以避免有可能使显示质量劣化的配置，因而实现窄边框化的液晶显示装置。驱动电路区域的多个驱动晶体管(30)的栅极布线(41)，平面性地看来，沿着具有不同的2个方向的2个线段和弯曲部分(90)的折线配置，驱动晶体管的沟道区(31)，平面性地看来，不与该弯曲部分重复地沿着该2个线段配置。

公开(公告)号：CN1299073A

公开(公告)日：2001-06-13

申请号：CN00135291.1

申请日：2000-12-08

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 青木理 ,  小林正直

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明提供了可以得到即便是存在着使a－Si进行pSi化的误发射,也可以避免有可能使显示质量劣化的配置,因而实现窄边框化的液晶显示装置。驱动电路区域的多个驱动晶体管(30)的栅极布线(41),平面性地看来,沿着具有不同的2个方向的2个线段和弯曲部分(90)的折线配置,驱动晶体管的沟道区(31),平面性地看来,不与该弯曲部分重复地沿着该2个线段配置。