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公开(公告)号：CN110168132B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201780082067.6
申请日：2017-12-11
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： C23C14/52 , C23C14/50 , C23C16/44 , C23C16/46 , G01J5/00 , H01L21/205 , H01L21/26 , H01L21/3065 , H01L21/324
摘要： 衬底处理装置具有：保持衬底(W)并在减压加热处理室内被加热的衬底保持件(H)；使从衬底保持件(H)放射的放射热线(La)向减压加热处理室外透过的透过窗(23)；在减压加热处理室外测量透过了透过窗(23)的放射热线(La)的放射温度计(25)；以及从朝向透过窗(23)开口的气体导入口(24a)向透过窗(23)喷射气体而将气体导入减压加热处理室内的气体导入装置(24)。
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公开(公告)号：CN111989530A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201880092432.6
申请日：2018-04-26
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 本发明的热交换元件具有相向流部，该相向流部具备：多个分隔板，呈平面形状；以及多个间隔板，剖视呈波形形状，以间隔板的波形的行进方向成为相同朝向的方式，交替层叠分隔板和间隔板，其中，相向流部的侧面由将分隔板和间隔板重叠的部分折弯而成的末端的部分形成。本发明的热交换元件如上述那样构成，因此热交换元件的流路与外气之间的绝热性变得更高，能够降低热交换元件的流路内的流体与外气之间的热交换。其结果是，能够得到热交换效率更高的热交换元件。
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公开(公告)号：CN110168132A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780082067.6
申请日：2017-12-11
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： C23C14/52 , C23C14/50 , C23C16/44 , C23C16/46 , G01J5/00 , H01L21/205 , H01L21/26 , H01L21/3065 , H01L21/324
摘要： 衬底处理装置具有：保持衬底(W)并在减压加热处理室内被加热的衬底保持件(H)；使从衬底保持件(H)放射的放射热线(La)向减压加热处理室外透过的透过窗(23)；在减压加热处理室外测量透过了透过窗(23)的放射热线(La)的放射温度计(25)；以及从朝向透过窗(23)开口的气体导入口(24a)向透过窗(23)喷射气体而将气体导入减压加热处理室内的气体导入装置(24)。
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公开(公告)号：CN105324850B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201480035248.X
申请日：2014-06-12
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02363 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳光发电装置用基板的制造方法及太阳光发电装置用基板的制造装置。太阳光发电装置用基板的制造方法，其为对半导体锭进行切片而将半导体基板切出后对上述半导体基板的表面实施表面处理而形成纹理结构的太阳光发电装置用基板的制造方法，所述制造方法包含：通过含有氧化性药剂的清洗液将在上述半导体基板的表面附着的有机杂质和金属杂质进行清洗除去的清洗工序；在上述清洗工序后连续地进行、用碱性水溶液对上述半导体基板的表面进行各向异性蚀刻、由此将由上述切片产生的基板表面的损伤层除去、且在上述半导体基板的表面形成上述纹理结构的蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN108235787B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201680060879.6
申请日：2016-09-20
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L31/0216 , C23C16/458 , H01L21/205 , H01L31/18
摘要： 具备：使作为第2导电类型的半导体层的n型扩散层形成于具有第1导电类型的结晶系的半导体基板的工序；以及使背面与设置于成膜室的载置台抵接而载置由半导体基板构成的基板(1S)，对成膜室(101)内进行真空排气而减压，将原料气体供给到成膜室(101)内，利用CVD法使防反射膜(3)从半导体基板的受光面侧成膜至半导体基板的侧面的工序。成膜的工序是托盘(100)具有在与半导体基板的抵接面具有开口并且贯通托盘(100)的贯通孔h，通过真空排气使贯通孔h内相对于成膜室(101)内的压力成为负压，从而使半导体基板紧贴于抵接面，使防反射膜(3)成膜于除了抵接面之外的半导体基板表面的工序。
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公开(公告)号：CN108235787A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201680060879.6
申请日：2016-09-20
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L31/0216 , C23C16/458 , H01L21/205 , H01L31/18
CPC分类号： C23C16/458 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 具备：使作为第2导电类型的半导体层的n型扩散层形成于具有第1导电类型的结晶系的半导体基板的工序；以及使背面与设置于成膜室的载置台抵接而载置由半导体基板构成的基板(1S)，对成膜室(101)内进行真空排气而减压，将原料气体供给到成膜室(101)内，利用CVD法使防反射膜(3)从半导体基板的受光面侧成膜至半导体基板的侧面的工序。成膜的工序是托盘(100)具有在与半导体基板的抵接面具有开口并且贯通托盘(100)的贯通孔h，通过真空排气使贯通孔h内相对于成膜室(101)内的压力成为负压，从而使半导体基板紧贴于抵接面，使防反射膜(3)成膜于除了抵接面之外的半导体基板表面的工序。
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公开(公告)号：CN105324850A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480035248.X
申请日：2014-06-12
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02363 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳光发电装置用基板的制造方法及太阳光发电装置用基板的制造装置。太阳光发电装置用基板的制造方法，其为对半导体锭进行切片而将半导体基板切出后对上述半导体基板的表面实施表面处理而形成纹理结构的太阳光发电装置用基板的制造方法，所述制造方法包含：通过含有氧化性药剂的清洗液将在上述半导体基板的表面附着的有机杂质和金属杂质进行清洗除去的清洗工序；在上述清洗工序后连续地进行、用碱性水溶液对上述半导体基板的表面进行各向异性蚀刻、由此将由上述切片产生的基板表面的损伤层除去、且在上述半导体基板的表面形成上述纹理结构的蚀刻工序。
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