公开(公告)号：CN1110099C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN96121726.X

申请日：1996-11-20

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 森中浩之 ,  上田公大 ,  益子耕一郎

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/70

CPC分类号： H01L29/66651 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

摘要： 得到了一种半导体集成电路器件和一种半导体集成电路器件的制造方法，这种半导体集成电路器件具有SOI结构，它可以防止晶体管击穿电压的退化而不损害集成。掩埋氧化膜不制作在P型硅的整个面上，而是在栅电极下方的区域中有一个窗口。窗口被填充以形成渗透P层。因此，SOI层经由渗透P层电连接于P型硅层。栅电极的平面位置和形状与渗透P层的一致。

公开(公告)号：CN1165342A

公开(公告)日：1997-11-19

申请号：CN97102016.7

申请日：1997-01-06

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 森中浩之 ,  牧野博之 ,  上田公大 ,  益子耕一郎

IPC分类号： G06F5/00 ,  H01L27/00

CPC分类号： G06F7/523 ,  G06F1/32 ,  G06F5/00 ,  H03K19/0008

摘要： 提供一种半导体集成电路和一种用来减小耗散功率的方法。一个比较器输出储存在寄存器中的上次输入和作为输入信号的当前输入的、互相对应的而具有同样电平的各位。一个零计数器计算从比较器相同电平输出的位数。如果相同电平的位数小于一个预定数，则当前输入不同于上次输入。因此，对触发器给出一个指令将当前输入反相。反相后的当前输入变得与上次输入相似。于是，一个逻辑块的耗散功率即可降低。

公开(公告)号：CN1114951C

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN97102016.7

申请日：1997-01-06

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 森中浩之 ,  牧野博之 ,  上田公大 ,  益子耕一郎

IPC分类号： H01L27/00

CPC分类号： G06F7/523 ,  G06F1/32 ,  G06F5/00 ,  H03K19/0008

摘要： 提供一种半导体集成电路和一种用来减小耗散功率的方法。一个比较器输出储存在寄存器中的上次输入和作为输入信号的当前输入的、互相对应的而具有同样电平的各位。一个零计数器计算从比较器相同电平输出的位数。如果相同电平的位数小于一个预定数，则当前输入不同于上次输入。因此，对触发器给出一个指令将当前输入反相。反相后的当前输入变得与上次输入相似。于是，一个逻辑块的耗散功率即可降低。

公开(公告)号：CN1160291A

公开(公告)日：1997-09-24

申请号：CN96121726.X

申请日：1996-11-20

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 森中浩之 ,  上田公大 ,  益子耕一郎

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/70

CPC分类号： H01L29/66651 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

摘要： 得到了一种半导体集成电路器件和一种半导体集成电路器件的制造方法，这种半导体集成电路器件具有SOI结构，它可以防止晶体管击穿电压的退化而不损害集成。掩埋氧化膜不制作在P型硅的整个面上，而是在栅电极下方的区域中有一个窗口。窗口被填充以形成渗透P层。因此，SOI层经由渗透P层电连接于P型硅层。栅电极的平面位置和形状与渗透P层的一致。