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公开(公告)号:CN106202604B
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201610338070.7
申请日:2016-05-20
申请人: 阿尔特拉公司
发明人: P·肖
IPC分类号: G06F17/50
CPC分类号: H03K19/17756 , H03K19/0008 , H03K19/17728 , H03K19/17744 , H03K19/1776 , H03K19/17776
摘要: 本申请公开一种用于配置和重新配置配置移位寄存器(CSR)部分重新配置区域的集成电路。该集成电路包括被划分成一组CSR部分重新配置区域的CSR链。多路复用器电路被添加到每个PR区域的端部以允许PR区域被绕开或者连接到下一个PR区域。每个PR区域被连接到促进相应PR区域的CSR配置的PR电路。PR电路包括区域启动电路和区域控制电路。区域启动电路启动CSR PR区域的配置。区域控制电路生成局部重新配置控制信号以控制启动的CSR PR区域的配置操作。
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公开(公告)号:CN108780469A
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201780012033.X
申请日:2017-02-10
申请人: 阿尔特拉公司
IPC分类号: G06F17/50
CPC分类号: H03K19/00369 , H03K19/0008 , H03K19/17728 , H03K19/1774 , H03K19/17764 , H03K19/17784
摘要: 用于操作可编程逻辑构造(16)的方法和系统包括动态参数缩放控制器(22),动态参数缩放控制器(22)通过在使用用于可编程逻辑构造(16)的校准配置的校准模式期间循环通过多个操作条件的同时维持操作参数,来跟踪在多个操作条件下起作用的操作参数。该动态参数缩放控制器(22)还在校准表中存储用于操作参数的一个或多个功能性值。该动态参数缩放控制器(22)还使用用于操作参数的动态值来操作使用设计配置的可编程逻辑构造(16),该操作参数是至少部分基于多个操作条件的。
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公开(公告)号:CN108134599A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201711260976.2
申请日:2017-12-04
申请人: 山东高云半导体科技有限公司
IPC分类号: H03K19/0175 , H03K19/00
CPC分类号: H03K19/0008 , H03K19/017509
摘要: 本发明涉及I3C集成电路技术领域,提供了一种I3C总线控制接口电路,包括主设备、从设备、I3C总线、接口模块、上拉电阻管理模块和上拉电阻模块。I3C总线进行地址操作时,主设备检测I3C总线的传输地址码,当检测到I3C总线的传输地址码符合预定规则时,对I3C的电平状态进行检测,根据电平状态通过配置接口模块的开关模式以控制接口模块与I3C总线进行连接或者断开,并根据传输地址码和电平状态通过控制上拉电阻管理模块的开关状态以导通或者断开I3C总线与上拉电阻模块之间的连接,以达到动态控制I3C总线与上拉电阻模块进行连接或者断开,动态化的调整I3C总线的上拉电阻的连接状态,从而降低上拉电阻的功率消耗,降低I3C总线电路的功耗的目的。
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公开(公告)号:CN106605368B
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201580045629.0
申请日:2015-08-27
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H03K19/00
CPC分类号: G06F1/206 , G06F1/3234 , G06F1/324 , G06F1/3296 , H03K19/0008 , Y02D10/126 , Y02D10/16 , Y02D10/172
摘要: 公开了用于受时钟控制的电路(诸如集成电路中的处理器)的性能设置技术。此技术根据纳入了该集成电路的移动设备的总热阻来确定该受时钟控制的电路的最大功耗。该总热阻是该移动设备的系统热阻与该集成电路的器件热阻之和。
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公开(公告)号:CN106663458A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201580033746.5
申请日:2015-06-26
申请人: 英特尔公司
CPC分类号: H03K19/0005 , G06F3/0604 , G06F3/061 , G06F3/0625 , G06F3/0659 , G06F3/0673 , G06F3/0683 , G06F13/4086 , H03K19/0008 , H03K19/017545 , H03K19/01825 , H03K19/018557
摘要: 一种存储器子系统包括多器件封装体,该多器件封装体包括组织成多个存储器列的多个存储器器件。该存储器子系统的控制单元将存储器存取命令同时发送至这些存储器列中的部分或全部,并触发接收该存储器存取命令的这些存储器列中的部分或全部以更改管芯上终结(ODT)设置。这些列之一被选择用于执行该存储器存取命令,并且当被触发以更改该ODT设置的所有列都具有该更改的ODT设置时执行该命令。
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公开(公告)号:CN105765866A
公开(公告)日:2016-07-13
申请号:CN201480063987.X
申请日:2014-11-10
申请人: 高通股份有限公司
发明人: T·M·霍利斯
IPC分类号: H03K19/00 , G06F13/38 , H03K19/0175
CPC分类号: H04L1/0042 , G06F13/38 , H03K19/0008 , H03K19/0175 , H04L1/0075
摘要: 电子设备被适配成促成用于同时限制瞬时电流转变和信号转变两者的数据编码。根据一个示例,一电子设备可对要在数据总线上传送的一群数据比特执行第一编码方案。该第一编码方案可基于该群数据比特内对于每个数据通道而言的转变数目来执行。还可对该群数据比特执行第二编码方案。该第二编码方案可基于该群数据比特内对于每个数据通道而言显现预定状态(例如,一或零)的数据比特的数目来执行。在对该群数据比特执行了这两个编码方案之后,经编码数据比特可在该数据总线的相应各个数据通道上被传送。还包括了其他方面、实施例、和特征。
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公开(公告)号:CN105103449A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201380075349.5
申请日:2013-04-02
IPC分类号: H03K19/094
CPC分类号: H03K19/0008 , G11C14/009 , H03K3/037 , H03K3/0375 , H03K19/094
摘要: 根据示例,状态保持逻辑单元可以包括多个反相器。状态保持逻辑单元还可以包括邻近于反相器之一的输出节点连接的输出节点NVM存储单元。
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公开(公告)号:CN104753515A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201410830029.2
申请日:2014-12-26
申请人: 财团法人工业技术研究院
IPC分类号: H03K19/00
CPC分类号: H03K19/0008 , H03K19/01 , H03K19/017
摘要: 本发明提出一种产生特征化路径电路的方法与应用此方法的动态调整电路。产生特征化路径电路的方法包含选择一个临界路径电路。以及对此临界路径电路执行特征化程序,以得到一个特征化路径电路,此特征化路径电路的第二特征与临界路径电路的第一特征成比例,此特征化路径电路系用以指示临界路径电路的第一特征是否符合电路需求。
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公开(公告)号:CN104678839A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201410709784.5
申请日:2014-11-28
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: G05B19/042
CPC分类号: H03K19/0008 , G06F1/24 , G06F1/30 , G05B19/042
摘要: 本发明涉及一种半导体电路。需要提供一种缩短从开始微控制器的外部电源的点到开始运行逻辑电路的点的时间段的技术。半导体电路的稳定的电压供应电路接受外部电源VCC,并且向VDD线供应引起稳定的输出电压的电源电压和引起不稳定输出电压和快速起动的电源电压之一。在起动时,所述半导体电路接受外部电源。所述半导体电路将电源电压上升以引起稳定的输出电压,并且向逻辑部分初始化电路供应用于快速起动的不稳定电源电压,并且初始化VDD运行电路。当输出电压被稳定时,所述半导体电路改变向所述VDD线供应的电源电压,并且开始运行VDD运行电路。
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公开(公告)号:CN104300939A
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:CN201410513003.5
申请日:2014-09-29
申请人: 杭州电子科技大学
IPC分类号: H03K3/012
CPC分类号: H03K19/017545 , H03K19/0008
摘要: 本发明涉及一种将电平信号转换为脉冲磁场信号的电路。目前应用于磁电信号隔离耦合器件的“电平-磁场”转换电路存在较高的静态功耗。本发明包含防抖电路,延时电路,线圈驱动电路A,线圈驱动电路B和励磁线圈;防抖电路处于信号输入端,用于抑制输入信号抖动;延时电路连接于防抖电路与线圈驱动电路B之间,使输入线圈驱动电路B的信号相对于输入线圈驱动电路A的信号存在一个特定的延时;线圈驱动电路A连接于防抖电路与励磁线圈正极之间,对励磁线圈提供正向驱动电流;线圈驱动电路B连接于延时电路与励磁线圈负极之间,对励磁线圈提供反向驱动电流。本发明应用于磁电信号隔离耦合器件中,可以显著降低其使用功耗。
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