公开(公告)号：CN1093836A

公开(公告)日：1994-10-19

申请号：CN93112950.8

申请日：1993-12-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 永井丰 ,  岛显洋

IPC: H01S3/025 ,  H01S3/085 ,  H01S3/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/02232 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3432

Abstract: 一种半导体激光器包含：第一导电型半导体衬底：设置在衬底上的第一导电型下包层；设置在下包层上的量子阱结构层；设置在量子阱结构层上的第二导电型上包层；形成在上包层上并包含沿激光器谐振腔长度方向延伸而不达到半导体激光器谐振腔两个小端面的条形第二导电型半导体的脊；通过离子注入杂质在谐振腔两个小端面附近量子阱结构层的窗口结构中形成无序化区；以及设置在上包层上的第一导电型电流阻塞层。