半导体激光器装置的制造方法及半导体激光器装置

    公开(公告)号:CN1264258C

    公开(公告)日:2006-07-12

    申请号:CN01135701.0

    申请日:2001-08-18

    Abstract: 本发明的课题是,提供即使将发光点的相互间隔变窄,在芯片分离时,也没有芯片损缺或破裂而导致成品率下降的情况发生、不存在散热不良,并可抑制多条激光光束的相对角度发生偏离的半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置。可以用设定的重叠方法,将多个半导体激光器棒上下重叠,并将多个半导体激光器棒的各解理端面对齐在设定的平面上,将各半导体激光器棒相互键合。作为设定的重叠方法,可以采用使条一侧处于下方在Y轴方向上下重叠的方法,或者使条一侧成为粘结面在Y轴方向上下重叠的方法等。进而,为使散热良好,还可以采用在半导体激光器棒和激光器棒之间夹入次安装座的结构。也可以将半导体激光器棒在Z轴方向相互错开进行安装。

    显示及照明装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102384427B

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN201110161343.2

    申请日:2011-05-27

    Abstract: 本发明提供一种显示/照明装置,在使用光纤将来自光源的光导向被远离光源地配置的照明部等的显示/照明装置中,在更换光源时等光学地连接光源与光纤时,能简单地进行光源与光纤的位置关系的调整。显示/照明装置,包括:光源部,容纳光源;光纤,传播来自光源的光;显示照明部,发出光纤传播的光;光源模块,设置于光源部内,内置光源并与光纤光学地连接;插塞电极,设置在光源模块中,向光源供电;凸出部,设置于光源模块的一侧,与光纤扣合并导出来自光源的光;凹面部,设置于与光源模块一侧相反的另一侧,以一定的力朝光纤按压凸出部。

    半导体激光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1207828C

    公开(公告)日:2005-06-22

    申请号:CN01125554.4

    申请日:2001-08-14

    CPC classification number: H01S5/162 H01S2302/00

    Abstract: 本发明的课题是,提供COD退化分散度小的高可靠性半导体激光装置。在激射波长为770~810nm的半导体激光器10中,将杂质掺入半导体激光器端面附近的MQW有源层16,形成无序化区域,并以此作为窗口层20,以激发光照射该窗口层20,测量窗口层20的光致发光波长λdpl(nm),将以激发光照射有源层16时所产生的光致发光的波长λapl(nm)同以激发光照射窗口层20时所产生的光致发光的波长λdpl(nm)之差定义为蓝移量λbl(nm),借助于该蓝移量λb1可在制造过程的各阶段预测产品的COD水平。

    半导体激光器装置的制造方法及半导体激光器装置

    公开(公告)号:CN1492549A

    公开(公告)日:2004-04-28

    申请号:CN01135701.0

    申请日:2001-08-18

    Abstract: 本发明的课题是,提供即使将发光点的相互间隔变窄,在芯片分离时,也没有芯片损缺或破裂而导致成品率下降的情况发生、不存在散热不良,并可抑制多条激光光束的相对角度发生偏离的半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置。可以用设定的重叠方法,将多个半导体激光器棒上下重叠,并将多个半导体激光器棒的各解理端面对齐在设定的平面上,将各半导体激光器棒相互键合。作为设定的重叠方法,可以采用使条一侧处于下方在Y轴方向上下重叠的方法,或者使条一侧成为粘结面在Y轴方向上下重叠的方法等。进而,为使散热良好,还可以采用在半导体激光器棒和激光器棒之间夹入次安装座的结构。也可以将半导体激光器棒在Z轴方向相互错开进行安装。

    显示/照明装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102384427A

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN201110161343.2

    申请日:2011-05-27

    Abstract: 本发明提供一种显示/照明装置,在使用光纤将来自光源的光导向被远离光源地配置的照明部等的显示/照明装置中,在更换光源时等光学地连接光源与光纤时,能简单地进行光源与光纤的位置关系的调整。显示/照明装置,包括:光源部,容纳光源;光纤,传播来自光源的光;显示照明部,发出光纤传播的光;光源模块,设置于光源部内,内置光源并与光纤光学地连接;插塞电极,设置在光源模块中,向光源供电;凸出部,设置于光源模块的一侧,与光纤扣合并导出来自光源的光;凹面部,设置于与光源模块一侧相反的另一侧,以一定的力朝光纤按压凸出部。

    半导体激光器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101192740A

    公开(公告)日:2008-06-04

    申请号:CN200710140804.1

    申请日:2007-08-02

    CPC classification number: H01S5/22 H01S5/2201 H01S5/3211 H01S5/4031 H01S5/4087

    Abstract: 即使形成在取向误差角7°以上的GaAs衬底上,也可得到偏振角接近于0、偏振度大的脊形构造的半导体激光器。本发明的半导体激光器,在具有依次形成在取向误差角7°以上的GaAs衬底上的下包层、活性层、上包层的脊形构造的半导体激光器中,活性层由AlGaAs构成,下包层及上包层由P的组成比大于0、小于或等于0.04的AlGaAsP构成。

    半导体激光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1359179A

    公开(公告)日:2002-07-17

    申请号:CN01125554.4

    申请日:2001-08-14

    CPC classification number: H01S5/162 H01S2302/00

    Abstract: 本发明的课题是,提供COD退化分散度小的高可靠性半导体激光装置。在激射波长为770~810nm的半导体激光器10中,将杂质掺入半导体激光器端面附近的MQW有源层16,形成无序化区域,并以此作为窗口层20,以激发光照射该窗口层20,测量窗口层20的光荧光波长λdp1(nm),将以激发光照射有源层16时所产生的光荧光的波长λap1(nm)同以激发光照射窗口层20时所产生的光荧光的波长λdp1(nm)之差定义为蓝移量λb1(nm),借助于该蓝移量λb1可在制造过程的各阶段预测产品的COD水平。

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