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公开(公告)号：CN116888740A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202180093686.1
申请日：2021-02-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 提供一种能够以短时间进行具有可靠性的筛选的半导体装置。半导体装置具有开关元件、控制电路、齐纳二极管、第1端子以及第2端子。开关元件形成于半导体基板。控制电路形成于包含开关元件的半导体基板，对开关元件的状态进行控制。齐纳二极管包含连接至输入端子与控制电路之间的电源电压线的阴极，该输入端子被输入用于对控制电路进行驱动的电源电压。齐纳二极管形成于半导体基板。第1端子作为齐纳二极管的阳极而设置于半导体基板的主面。第2端子作为开关元件的发射极以及源极之中的任意一者而设置于半导体基板的主面，在半导体基板内与第1端子绝缘。
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公开(公告)号：CN113678261B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201980095117.3
申请日：2019-04-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置，其具有：半导体基板，其具有流过主电流的有源区域、有源区域的周围的末端区域；聚酰亚胺膜，其设置于有源区域之上及末端区域之上；以及钝化膜，其是作为聚酰亚胺膜的下层膜而设置的，末端区域包含从有源区域侧依次设置的耐压保持区域及最外周区域，聚酰亚胺膜是将最外周区域的切割残留部排除在外而设置的，钝化膜至少在设置有聚酰亚胺膜的区域被设置作为下层膜。
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公开(公告)号：CN109155302A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201680086053.7
申请日：2016-05-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 高压电极(5)的一端与半导体元件(1)的高压端子连接。低压电极(6)的一端与半导体元件(1)的低压端子连接。树脂(15)对半导体元件(1)、高压电极(5)的一端及低压电极(6)的一端进行封装。第1放电电极(16)及第2放电电极(17)分别设置于高压电极(5)及低压电极(6)的未被树脂(15)覆盖的部分，以彼此相对的方式凸出。
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公开(公告)号：CN102185598B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201010609296.9
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/72
CPC classification number: F23Q3/004
Abstract: 本发明提供以简单结构实现在发生异常时可靠地保护半导体开关元件的软切断功能且可靠性高的点火器用功率半导体装置。点火器用功率半导体装置，具有对点火线圈的初级电流进行通电/切断的半导体开关元件和驱动控制所述半导体开关元件的集成电路，其中，所述集成电路包括：第一放电单元，在正常动作时，使蓄积在所述半导体开关元件的控制端子的电荷放电而切断，以使所述点火线圈的次级一侧产生火花塞跳火电压；以及第二放电单元，当检测到异常状态时，比所述第一放电单元缓慢地使蓄积在所述半导体开关元件的控制端子的电荷放电而切断，以使所述点火线圈的次级电压成为火花塞跳火电压以下。
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公开(公告)号：CN113678261A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201980095117.3
申请日：2019-04-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体装置，其具有：半导体基板，其具有流过主电流的有源区域、有源区域的周围的末端区域；聚酰亚胺膜，其设置于有源区域之上及末端区域之上；以及钝化膜，其是作为聚酰亚胺膜的下层膜而设置的，末端区域包含从有源区域侧依次设置的耐压保持区域及最外周区域，聚酰亚胺膜是将最外周区域的切割残留部排除在外而设置的，钝化膜至少在设置有聚酰亚胺膜的区域被设置作为下层膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100550379C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200710162277.4
申请日：2007-10-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 西村一广
IPC: H01L25/16 , H01L25/00 , H01L23/488
CPC classification number: F02P3/0435 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19107 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于在具有用于控制功率半导体元件的控制电路的半导体装置中，使半导体装置小型化。在导电体(2)上彼此分离地设置有第一开关元件(3)、表面-背面间的耐压比第一开关元件(3)高的背面高耐压集成电路(4)、和绝缘衬底(5)。在背面高耐压集成电路(4)的表面上搭载有对第一开关元件(3)的导通、截止进行控制的控制电路。在绝缘衬底(5)上设置有无源元件部(6)。利用第一布线(8a)连接绝缘衬底(5)和第一开关元件(3)，利用第二布线(8b)连接绝缘衬底(5)和背面高耐压集成电路(4)。根据上述结构，无需在绝缘衬底(5)上设置用于控制第一开关元件(3)的集成电路。由此，能够使绝缘衬底(5)缩小，能够使半导体装置(1)小型化和高功能化。
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公开(公告)号：CN119480843A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410844632.X
申请日：2024-06-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56 , H02M1/00
Abstract: 本发明得到能够提高半导体模块与冷却器的接合部的可靠性的半导体模块、电力用半导体装置、它们的制造方法以及电力转换装置。绝缘基板具有绝缘板、形成于绝缘板的表面的表面金属图案以及形成于绝缘板的背面的背面金属图案。半导体芯片安装于绝缘基板的表面金属图案。主端子与半导体芯片的上表面的主电极连接。信号端子通过引线与半导体芯片的上表面的控制电极连接。密封树脂密封绝缘基板、半导体芯片、引线、主端子的一部分以及信号端子的一部分。背面金属图案从密封树脂的下表面突出而背面金属图案的侧面和下表面从密封树脂露出。背面金属图案的露出面被改性固化。背面金属图案呈向下方翘曲的凸形状。
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公开(公告)号：CN111684677B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201880088565.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 第1钳位电路(4)将开关元件(Q1)的栅极与第1端子之间的电压钳位为小于或等于第1钳位电压。对开关元件(Q1)进行控制的控制电路(2)具有：驱动部(5)，其对开关元件(Q1)进行驱动；异常检测部(9)，其在检测出动作异常时使驱动部(5)停止；以及第2钳位电路(10)。在异常检测部(9)使驱动部(5)停止时，第2钳位电路(10)将栅极与第1端子之间的电压钳位为小于或等于比第1钳位电压低的第2钳位电压。
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公开(公告)号：CN111684677A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201880088565.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 第1钳位电路(4)将开关元件(Q1)的栅极与第1端子之间的电压钳位为小于或等于第1钳位电压。对开关元件(Q1)进行控制的控制电路(2)具有：驱动部(5)，其对开关元件(Q1)进行驱动；异常检测部(9)，其在检测出动作异常时使驱动部(5)停止；以及第2钳位电路(10)。在异常检测部(9)使驱动部(5)停止时，第2钳位电路(10)将栅极与第1端子之间的电压钳位为小于或等于比第1钳位电压低的第2钳位电压。
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公开(公告)号：CN102185598A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010609296.9
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/72
CPC classification number: F23Q3/004
Abstract: 本发明提供以简单结构实现在发生异常时可靠地保护半导体开关元件的软切断功能且可靠性高的点火器用功率半导体装置。点火器用功率半导体装置，具有对点火线圈的初级电流进行通电/切断的半导体开关元件和驱动控制所述半导体开关元件的集成电路，其中，所述集成电路包括：第一放电单元，在正常动作时，使蓄积在所述半导体开关元件的控制端子的电荷放电而切断，以使所述点火线圈的次级一侧产生火花塞跳火电压；以及第二放电单元，当检测到异常状态时，比所述第一放电单元缓慢地使蓄积在所述半导体开关元件的控制端子的电荷放电而切断，以使所述点火线圈的次级电压成为火花塞跳火电压以下。
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