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公开(公告)号：CN1497807A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03164912.2
申请日：2003-09-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/0287 , G02B5/0816 , G02B6/4207 , Y10T428/2495
Abstract: 本发明提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件，具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜；上述多层反射膜各自膜的折射率ni与膜厚di乘积nidi的总和∑nidi，关于波导上述波导层的光的波长λ满足∑nidi＞λ/4的关系，同时上述多层反射膜的反射率是以上述波长λ情况的反射率R(λ)为基准，包括连续从－1％到+2.0％范围内上述波长λ的波长带宽Δλ除以上述波长λ的值Δλ/λ为0.062以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1874020A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610091595.1
申请日：2003-09-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/08 , H01L31/0232 , H01S5/00
Abstract: 本发明提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜；上述多层反射膜各自膜的折射率ni与膜厚di乘积nidi的总和∑nidi，关于波导上述波导层的光的波长λ满足∑nidi＞λ/4的关系，同时上述多层反射膜的反射率是以上述波长λ情况的反射率R(λ)为基准，包括连续从－1％到+2.0％范围内上述波长λ的波长带宽Δλ除以上述波长λ的值Δλ/λ为0.062以上。
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公开(公告)号：CN1269279C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03164912.2
申请日：2003-09-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/0287 , G02B5/0816 , G02B6/4207 , Y10T428/2495
Abstract: 本发明提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件，具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜；上述多层反射膜各自膜的折射率ni与膜厚di乘积nidi的总和∑nidi，关于波导上述波导层的光的波长λ满足∑nidi＞λ/4的关系，同时上述多层反射膜的反射率是以上述波长λ情况的反射率R(λ)为基准，包括连续从-1%到+2.0%范围内上述波长λ的波长带宽Δλ除以上述波长λ的值Δλ/λ为0.062以上。
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公开(公告)号：CN1286227C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN03120129.6
申请日：2003-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01L33/44 , H01S5/0287
Abstract: 本发明的课题是构成具有设计自由度高的低反射率的覆盖膜的光半导体器件。本发明的光半导体器件系在具有等效折射率nc的半导体激光器12的一个端面上设置具有折射率为n1、膜厚为d1的第1层镀膜16和折射率为n2、膜厚为d2的第2层镀膜18的低反射镀膜14，该低反射镀膜14以如下方式制成：在使第2层镀膜18的表面上的自由空间的折射率为n0时，在半导体激光器的规定的激光波长λ0处，由该波长λ0、折射率n1和n2、膜厚d1和d2规定的振幅反射率的实部和虚部为0，并且在n1、n2中只有某一方小于nc与n0的乘积的平方根。
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公开(公告)号：CN1881633A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610099681.7
申请日：2003-09-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/08 , H01L31/0232 , H01S5/00
Abstract: 本发明提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜；上述多层反射膜各自膜的折射率ni与膜厚di乘积nidi的总和∑nidi，关于波导上述波导层的光的波长λ满足∑nidi＞λ/4的关系，同时上述多层反射膜的反射率是以上述波长λ情况的反射率R(λ)为基准，包括连续从－1％到+2.0％范围内上述波长λ的波长带宽Δλ除以上述波长λ的值Δλ/λ为0.062以上。
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公开(公告)号：CN1444317A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03120129.6
申请日：2003-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01L33/44 , H01S5/0287
Abstract: 本发明的课题是构成具有设计自由度高的低反射率的覆盖膜的光半导体器件。本发明的光半导体器件系在具有等效折射率nc的半导体激光器12的一个端面上设置具有折射率为n1、膜厚为d1的第1层镀膜16和折射率为n2、膜厚为d2的第2层镀膜18的低反射镀膜14，该低反射镀膜14以如下方式制成：在使第2层镀膜18的表面上的自由空间的折射率为n0时，在半导体激光器的规定的激光波长λ0处，由该波长λ0、折射率n1和n2、膜厚d1和d2规定的振幅反射率的实部和虚部为0，并且在n1、n2中只有某一方小于nc与n0的乘积的平方根。
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