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公开(公告)号：CN101442094B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810176804.1
申请日：2008-11-19
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0021 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
摘要： 本发明“氮化物半导体发光元件的制造方法”，是一种能够减小p型电极的接触电阻率的氮化物半导体发光元件的制造方法。在GaN单晶衬底(1)上形成层叠有p型GaN接触层(11)等的半导体层叠结构。在p型GaN接触层上(11)形成具有Pd层(16)和Ta层(17)的p型电极(15)。在形成了p型电极(15)后，在含氧气氛中在400℃～600℃的温度进行热处理。在热处理后，在p型电极(15)上形成含Au的平头电极(18)。
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公开(公告)号：CN101494270A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910002799.7
申请日：2009-01-22
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明涉及具备Pd电极的半导体发光元件及其制造方法，目的在于提供一种半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件通过牢固地密合Pd电极和绝缘膜从而能够回避电极剥落的问题，并且通过提高Pd电极的作为低电阻欧姆电极的特性而实现激光装置的高功率化和低工作电流化。该半导体发光元件具备：半导体层；形成于该半导体层上且形成有开口部的绝缘膜；形成于该绝缘膜上的多层密合层；和以在该开口部与该半导体层接触，还与该多层密合层接触的方式形成的Pd电极，该多层密合层具有Au层作为最上层，在该Au层与该Pd电极的界面上形成有该Au层的Au与该Pd电极的Pd的合金。
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公开(公告)号：CN101478020A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810190645.0
申请日：2008-12-26
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 本发明涉及具有Pd电极的半导体发光元件的制造方法，其目的在于提供一种半导体发光元件的制造方法，能够以简易方法回避剥落的绝缘膜上Pd电极向半导体发光元件表面上的附着所引起的成品率降低、焊盘电极未形成部分的发生、p型接触层与焊盘电极接触的问题。该方法具备：在半导体上形成具有开口部的绝缘膜的工序；在该开口部和该绝缘膜上形成Pd电极的工序；对该绝缘膜上的该Pd电极施加物理的力，在残留该开口部的该Pd电极的状态下，将该绝缘膜上的该Pd电极剥离并除去的剥离工序。
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公开(公告)号：CN1497807A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03164912.2
申请日：2003-09-26
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01S5/0287 , G02B5/0816 , G02B6/4207 , Y10T428/2495
摘要： 本发明提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件，具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜；上述多层反射膜各自膜的折射率ni与膜厚di乘积nidi的总和∑nidi，关于波导上述波导层的光的波长λ满足∑nidi＞λ/4的关系，同时上述多层反射膜的反射率是以上述波长λ情况的反射率R(λ)为基准，包括连续从－1％到+2.0％范围内上述波长λ的波长带宽Δλ除以上述波长λ的值Δλ/λ为0.062以上。
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公开(公告)号：CN102129970A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110021551.2
申请日：2011-01-19
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L21/02639 , H01L21/02389 , H01L21/0254
摘要： 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。首先，准备具有低位错区域（10）和位错密度比低位错区域（10）高的高位错区域（12）的GaN衬底（14）。然后，以不覆盖高位错区域（12）而包围高位错区域（12）的方式，在低位错区域（10）上形成绝缘膜（16）。然后，在GaN衬底（14）上形成氮化物半导体层（18）。由此，能够防止在高位错区域（12）产生的异常生长传播到低位错区域（10），并且能够防止由于原料扩散而在绝缘膜（16）的附近使氮化物半导体层（18）的厚度增大。其结果是，能够提高氮化物半导体层（18）的表面平坦性，能够提高半导体装置的成品率。
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公开(公告)号：CN101950924A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010298304.2
申请日：2007-10-15
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/34333
摘要： 本发明提供一种半导体光学元件的制造方法。在波导路径脊的上表面稳定地防止半导体层和电极层的接触面积的减少，并防止该半导体层中的蚀刻损伤。在半导体层上层叠金属保护层(75)形成波导路径(40)，用SiO2膜(78)将其覆盖，涂敷抗蚀剂后，使波导路径脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，并且借助于具有比波导路径脊(40)的金属保护层(75)表面高且比波导路径脊(40)的SiO2膜(78)的表面低的表面的抗蚀剂膜来埋设沟道(38)的SiO2膜(78)，形成抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩膜，利用干蚀刻去除SiO2膜(78)，进而，利用湿蚀刻去除金属保护层(75)，使波导路径脊(40)的p-GaN层(74)表面露出，来形成电极层(46)。
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公开(公告)号：CN100407463C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200610091595.1
申请日：2003-09-26
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/08 , H01L31/0232 , H01S5/00
摘要： 本发明提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜；上述多层反射膜各自膜的折射率ni与膜厚di乘积nidi的总和∑nidi，关于波导上述波导层的光的波长λ满足∑nidi＞λ/4的关系，同时上述多层反射膜的反射率是以上述波长λ情况的反射率R(λ)为基准，包括连续从-1%到+2.0%范围内上述波长λ的波长带宽Δλ除以上述波长λ的值Δλ/λ为0.062以上。
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公开(公告)号：CN100355162C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200410058890.8
申请日：2004-08-03
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34313
摘要： 提供一种半导体激光器，前端面为低反射率，且由温度变化导致的振荡波长的变化小。该半导体激光器至少具有有源层、包层、和出射光的端面，在其端面上设置有反射率随波长变化的低反射膜，该低反射膜的反射率变成极小的波长位于半导体激光器增益变成最大的波长的靠长波长侧，只在低反射膜的反射率随波长增加而减少的区域半导体激光器的增益和损失变成相等。半导体激光器增益变成最大的波长下的低反射膜的反射率优选为小于等于1%。
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公开(公告)号：CN1874020A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610091595.1
申请日：2003-09-26
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/08 , H01L31/0232 , H01S5/00
摘要： 本发明提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜；上述多层反射膜各自膜的折射率ni与膜厚di乘积nidi的总和∑nidi，关于波导上述波导层的光的波长λ满足∑nidi＞λ/4的关系，同时上述多层反射膜的反射率是以上述波长λ情况的反射率R(λ)为基准，包括连续从－1％到+2.0％范围内上述波长λ的波长带宽Δλ除以上述波长λ的值Δλ/λ为0.062以上。
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公开(公告)号：CN1269279C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03164912.2
申请日：2003-09-26
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01S5/0287 , G02B5/0816 , G02B6/4207 , Y10T428/2495
摘要： 本发明提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件，具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜；上述多层反射膜各自膜的折射率ni与膜厚di乘积nidi的总和∑nidi，关于波导上述波导层的光的波长λ满足∑nidi＞λ/4的关系，同时上述多层反射膜的反射率是以上述波长λ情况的反射率R(λ)为基准，包括连续从-1%到+2.0%范围内上述波长λ的波长带宽Δλ除以上述波长λ的值Δλ/λ为0.062以上。
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