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公开(公告)号：CN118922265A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380029564.5
申请日：2023-03-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种表面包覆切削工具，具有多个同一形状的切削刀尖，在各后刀面中，包覆层为(AlxTi1‑x)(CyN1‑y)(x的平均含量xavg为0.60～0.95，y的平均含量yavg为0.0000～0.0050)，在各后刀面中，将NaCl型面心立方结构的晶粒的200衍射线强度值的平均值设为I(200)，将其标准偏差设为σI(200)时，σI(200)/I(200)为0.00～0.20，将向后刀面方向离开各切削刀尖棱线部100μm的线上的包覆层的厚度设为Lm，将其平均值设为Lavg，将其标准偏差设为σL时，σL/Lavg为0.0～0.20，在各后刀面中，包覆层包括柱状晶，具有Al和Ti的含量变化的区域，x的最大值xmax与最小值xmin之差为0.02～0.40。
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公开(公告)号：CN112770858A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980062729.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种表面包覆切削工具，其中，在工具基体(100)的表面设置有平均层厚2.0～20.0μm且由(Ti(1‑x)Alx)(CyN(1‑y))表示的TiAlCN层，Al的平均含有比例xavg与C的平均含有比例yavg为0.60≤xavg≤0.95、0.00≤yavg≤0.05，NaCl型面心立方结构的晶粒所占的面积比例为90面积％以上，在求出在层厚方向上将TiAlCN层二等分而获得的上层侧区域中的每个晶粒的晶体粒径d时，0.01μm＜d≤0.20μm的晶粒(21)相对于总面积存在10～40面积％，在上层侧区域中存在d为0.01μm＜d≤0.20μm的晶粒彼此相邻而连接的各区域，该各区域在与工具基体(100)表面平行的方向上的最大长度的平均值为5.0μm以下。
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公开(公告)号：CN112770858B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201980062729.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种表面包覆切削工具，其中，在工具基体(100)的表面设置有平均层厚2.0～20.0μm且由(Ti(1‑x)Alx)(CyN(1‑y))表示的TiAlCN层，Al的平均含有比例xavg与C的平均含有比例yavg为0.60≤xavg≤0.95、0.00≤yavg≤0.05，NaCl型面心立方结构的晶粒所占的面积比例为90面积％以上，在求出在层厚方向上将TiAlCN层二等分而获得的上层侧区域中的每个晶粒的晶体粒径d时，0.01μm＜d≤0.20μm的晶粒(21)相对于总面积存在10～40面积％，在上层侧区域中存在d为0.01μm＜d≤0.20μm的晶粒彼此相邻而连接的各区域，该各区域在与工具基体(100)表面平行的方向上的最大长度的平均值为5.0μm以下。
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公开(公告)号：CN100537087C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610006666.3
申请日：2006-01-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/403 , C23C30/005 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供硬质被覆层在高速断续切削加工中发挥优异的抗破损性的被覆金属陶瓷的工具。该表面被覆金属陶瓷的切削工具是在由WC基超硬合金或TiCN基金属陶瓷构成的工具基体的表面蒸镀硬质被覆层而形成的。
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公开(公告)号：CN1840267A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610006666.3
申请日：2006-01-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/403 , C23C30/005 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供硬质被覆层在高速断续切削加工中发挥优异的抗破损性的被覆金属陶瓷的工具。该表面被覆金属陶瓷的切削工具是在由WC基超硬合金或TiCN基金属陶瓷构成的工具基体的表面蒸镀硬质被覆层而形成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115397589B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202180027449.5
申请日：2021-02-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种切削工具，其为在工具基体表面具有复合碳氮化物层的表面包覆切削工具，其中，所述层中，具有NaCl型面心立方结构的晶粒所占的比例为80面积％以上，在将所述层的组成由组成式：(Ti1‑xAlx)(CyN1‑y)表示的情况下，x的平均xavg为0.60≤xavg≤0.90，y的平均yavg为0.000≤yavg≤0.050，NaCl型面心立方结构的晶粒包括x在与工具基体表面垂直的方向上反复增减的晶粒，并且包括10～40面积％的具有该反复增减的平均间隔为40～160nm的第一间隔的区域的晶粒，且包括60面积％以上的具有该反复增减的平均间隔为1～7nm的第二间隔的区域的晶粒。
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公开(公告)号：CN119013113A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380029523.6
申请日：2023-03-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种表面包覆切削工具，包括具有NaCl型面心立方结构的柱状晶粒的Ti、Al和V的复合氮化物层或复合碳氮化物层，其组成为(AlXVYTi1‑X‑Y)(CαN1‑α)(X、Y、α的平均值Xavg、Yavg、αavg为0.600≤Xavg≤0.950、0.010≤Yavg≤0.300、0.610≤Xavg+Yavg≤0.990、0.0000≤αavg≤0.0050)，包括具有Al的含量变化的晶粒，该晶粒中的所述X的最大值Xmax*的平均值Xmax和所述X的最小值Xmin*的平均值Xmin为0.020≤Xmax‑Xmin≤0.400，A*＝0.4045×Xavg+0.4130×Yavg+0.4242×(1‑Xavg‑Yavg)，该A*(nm)和根据XRD图案算出的晶格常数A(nm)为|A‑A*|＜0.0010(nm)。
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公开(公告)号：CN113474111A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201980093151.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种表面包覆切削工具，其在工具基体的表面上设置有硬质包覆层，所述硬质包覆层在工具表面侧(S)层叠一层包含70面积％以上的纤锌矿型六方晶结构的TiAlCN层α(1)、且在工具基体侧(B)层叠一层包含70面积％以上的NaCl型面心立方结构的TiAlCN层β(2)，并且在由(Ti(1‑xα)Alxα)(CyαN(1‑yα))表示TiAlCN层α(1)的组成的情况下，0.70≤xα≤0.95且0.000≤yα≤0.010，在由(Ti(1‑xβ)Alxβ)(CyβN(1‑yβ))表示TiAlCN层β(2)的组成的情况下，0.65≤xβ≤0.95且0.000≤yβ≤0.010，在将TiAlCN层α(1)和TiAlCN层β(2)的各平均层厚设为Lα、Lβ的情况下，0.5μm≤Lα≤10.0μm且1.0μm≤Lβ≤20.0μm。
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公开(公告)号：CN113474111B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201980093151.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种表面包覆切削工具，其在工具基体的表面上设置有硬质包覆层，所述硬质包覆层在工具表面侧(S)层叠一层包含70面积％以上的纤锌矿型六方晶结构的TiAlCN层α(1)、且在工具基体侧(B)层叠一层包含70面积％以上的NaCl型面心立方结构的TiAlCN层β(2)，并且在由(Ti(1‑xα)Alxα)(CyαN(1‑yα))表示TiAlCN层α(1)的组成的情况下，0.70≤xα≤0.95且0.000≤yα≤0.010，在由(Ti(1‑xβ)Alxβ)(CyβN(1‑yβ))表示TiAlCN层β(2)的组成的情况下，0.65≤xβ≤0.95且0.000≤yβ≤0.010，在将TiAlCN层α(1)和TiAlCN层β(2)的各平均层厚设为Lα、Lβ的情况下，0.5μm≤Lα≤10.0μm且1.0μm≤Lβ≤20.0μm。
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公开(公告)号：CN115397589A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180027449.5
申请日：2021-02-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种切削工具，其为在工具基体表面具有复合碳氮化物层的表面包覆切削工具，其中，所述层中，具有NaCl型面心立方结构的晶粒所占的比例为80面积％以上，在将所述层的组成由组成式：(Ti1‑xAlx)(CyN1‑y)表示的情况下，x的平均xavg为0.60≤xavg≤0.90，y的平均yavg为0.000≤yavg≤0.050，NaCl型面心立方结构的晶粒包括x在与工具基体表面垂直的方向上反复增减的晶粒，并且包括10～40面积％的具有该反复增减的平均间隔为40～160nm的第一间隔的区域的晶粒，且包括60面积％以上的具有该反复增减的平均间隔为1～7nm的第二间隔的区域的晶粒。
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