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公开(公告)号:CN101932750A
公开(公告)日:2010-12-29
申请号:CN200880125848.X
申请日:2008-06-27
申请人: 三菱重工业株式会社
IPC分类号: C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号: C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32862
摘要: 本发明提供一种真空处理装置,其能够简单地、且以具有通用性的方式设定进行自清洗的定时,并且能够进一步延长该定时,能够提高生产效率。一种向对基板(4)进行制膜处理的制膜室(1)内导入清洗气体进行自清洗的等离子体CVD装置(100),其中,进行自清洗的定时在制膜运转时间比例(Ps)相对于制膜处理量的增大而饱和的范围内设定,该制膜运转时间比例(Ps)利用制膜关联作业时间(Tt)占制膜关联作业时间(Tt)与清洗关联作业时间(Tc)之和的比例来表示。
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公开(公告)号:CN101932750B
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN200880125848.X
申请日:2008-06-27
申请人: 三菱重工业株式会社
IPC分类号: C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号: C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32862
摘要: 本发明提供一种真空处理装置,其能够简单地、且以具有通用性的方式设定进行自清洗的定时,并且能够进一步延长该定时,能够提高生产效率。一种向对基板(4)进行制膜处理的制膜室(1)内导入清洗气体进行自清洗的等离子体CVD装置(100),其中,进行自清洗的定时在制膜运转时间比例(Ps)相对于制膜处理量的增大而饱和的范围内设定,该制膜运转时间比例(Ps)利用制膜关联作业时间(Tt)占制膜关联作业时间(Tt)与清洗关联作业时间(Tc)之和的比例来表示。
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