三氯硅烷制造装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101421189A

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200780012705.3

    申请日:2007-10-24

    Abstract: 一种三氯硅烷制造装置,具备:反应容器,在内部的反应流路中被供给包括四氯化硅和氢的供给气体,生成包括三氯硅烷与氯化氢的反应生成气体;加热机构,将反应容器的内部加热;气体供给部,将供给气体供给到反应容器内;气体排气部,将反应生成气体从反应容器排出到外部;反应流路具有:供给侧流路,在反应容器的中央部连接在气体供给部上,使供给气体一边在反应容器内折回一边朝向外侧流动;返回流路,连接在供给侧流路的下游端,到达反应容器的中央部;排出侧流路,连接在返回流路的下游端,相邻于反应容器的中央部的供给侧流路而配设,连接在气体排气部上。

    三氯硅烷的制备方法和三氯硅烷的制备装置

    公开(公告)号:CN101479193B

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN200780024594.8

    申请日:2007-10-26

    CPC classification number: C01B33/1071

    Abstract: 本发明涉及三氯硅烷的制备方法和装置,所述三氯硅烷的制备方法包括:使四氯硅烷和氢在900℃~1900℃下反应、生成含有三氯硅烷和氯化氢的反应生成气体,将由反应室导出的反应生成气体冷却至300℃~800℃,由此使反应生成气体的冷却速度适当,防止生成四氯硅烷的逆反应和聚合物的副生,在该冷却的反应生成气体和导入到反应室2中的四氯硅烷或氢的至少一方之间进行热交换,进行预热。

    三氯硅烷的制备方法和三氯硅烷的制备装置

    公开(公告)号:CN101479193A

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200780024594.8

    申请日:2007-10-26

    CPC classification number: C01B33/1071

    Abstract: 本发明涉及三氯硅烷的制备方法和装置,所述三氯硅烷的制备方法包括:使四氯硅烷和氢在900℃~1900℃下反应、生成含有三氯硅烷和氯化氢的反应生成气体,将由反应室导出的反应生成气体冷却至300℃~800℃,由此使反应生成气体的冷却速度适当,防止生成四氯硅烷的逆反应和聚合物的副生,在该冷却的反应生成气体和导入到反应室2中的四氯硅烷或氢的至少一方之间进行热交换,进行预热。

    三氯硅烷制造装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101421188A

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200780012696.8

    申请日:2007-10-23

    Abstract: 一种三氯硅烷制造装置,具备:反应容器,在内部被供给包括四氯化硅和氢的供给气体,生成包括三氯硅烷与氯化氢的反应生成气体;加热机构,将反应容器加热;气体供给部,将供给气体供给到反应容器内;气体排气部,将反应生成气体从反应容器排出到外部;在反应容器的内部形成有反应流路,所述反应流路是使被大致同心配置的内径不同的多个反应筒壁分隔的多个小空间通过交替形成在这些反应筒壁的下部与上部上的流通用贯通部从内侧开始依次成为连通状态而形成的;在该反应流路上连接着气体供给部及气体排气部。

    三氯硅烷制造装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101421189B

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN200780012705.3

    申请日:2007-10-24

    Abstract: 一种三氯硅烷制造装置,具备:反应容器,在内部的反应流路中被供给包括四氯化硅和氢的供给气体,生成包括三氯硅烷与氯化氢的反应生成气体;加热机构,将反应容器的内部加热;气体供给部,将供给气体供给到反应容器内;气体排气部,将反应生成气体从反应容器排出到外部;反应流路具有:供给侧流路,在反应容器的中央部连接在气体供给部上,使供给气体一边在反应容器内折回一边朝向外侧流动;返回流路,连接在供给侧流路的下游端,到达反应容器的中央部;排出侧流路,连接在返回流路的下游端,相邻于反应容器的中央部的供给侧流路而配设,连接在气体排气部上。

Patent Agency Ranking