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公开(公告)号：CN106256763A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610409422.3
申请日：2016-06-12
申请人： 赫姆洛克半导体公司
发明人： 迈克尔·马修·扎拉尔
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071 , H05B3/145 , H05B3/42 , H05B2203/022 , Y02P20/124 , C01B33/10757 , C01B33/107
摘要： 本发明公开了一种用于反应器的衬托器构造，所述衬托器构造包括加热器元件，所述加热器元件被配置为加热在所述反应器中使用的加工气体。所述衬托器构造还包括内部衬托器部分，所述内部衬托器部分位于所述加热器元件径向向内的位置并被配置为引导其中的所述加工气体沿着径向内部加工气体路径。所述衬托器构造还包括外部衬托器部分，所述外部衬托器部分位于所述加热器元件径向向外的位置并被配置为引导其中的所述加工气体沿着径向外部加工气体路径，其中所述径向内部加工气体路径和所述径向外部加工气体路径流体联接并且基本上与所述加热器元件流体分离。
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公开(公告)号：CN101421189A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780012705.3
申请日：2007-10-24
申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071 , B01J12/007 , B01J19/02 , B01J19/243 , B01J2219/00135 , B01J2219/00155 , B01J2219/0272 , C01B33/10757
摘要： 一种三氯硅烷制造装置，具备：反应容器，在内部的反应流路中被供给包括四氯化硅和氢的供给气体，生成包括三氯硅烷与氯化氢的反应生成气体；加热机构，将反应容器的内部加热；气体供给部，将供给气体供给到反应容器内；气体排气部，将反应生成气体从反应容器排出到外部；反应流路具有：供给侧流路，在反应容器的中央部连接在气体供给部上，使供给气体一边在反应容器内折回一边朝向外侧流动；返回流路，连接在供给侧流路的下游端，到达反应容器的中央部；排出侧流路，连接在返回流路的下游端，相邻于反应容器的中央部的供给侧流路而配设，连接在气体排气部上。
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公开(公告)号：CN105339303B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201480035962.9
申请日：2014-06-17
申请人： 瓦克化学股份公司
发明人： 迪尔克·韦克塞尔
IPC分类号： C01B33/107 , C01B33/027
CPC分类号： C01B33/10763 , C01B33/027 , C01B33/03 , C01B33/1071 , C01B33/10757
摘要： 本发明提供一种运行流化床反应器的方法，包括：用惰性气体对反应器和输气管进行吹洗a；用H2对反应器和输气管进行吹洗b；用卤代硅烷或含卤代硅烷的混合物对反应器和输气管进行吹洗c。
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公开(公告)号：CN105339303A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480035962.9
申请日：2014-06-17
申请人： 瓦克化学股份公司
发明人： 迪尔克·韦克塞尔
IPC分类号： C01B33/107 , C01B33/027
CPC分类号： C01B33/10763 , C01B33/027 , C01B33/03 , C01B33/1071 , C01B33/10757
摘要： 本发明提供一种运行流化床反应器的方法，包括：用惰性气体对反应器和输气管进行吹洗a；用H2对反应器和输气管进行吹洗b；用卤代硅烷或含卤代硅烷的混合物对反应器和输气管进行吹洗c。
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公开(公告)号：CN105050953A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480004450.6
申请日：2014-02-26
申请人： 韩化石油化学株式会社
CPC分类号： C01B33/10763 , B01J6/00 , C01B33/06 , C01B33/10757
摘要： 本发明涉及一种制备三氯硅烷的方法。根据本发明的制备三氯硅烷的方法，使用形成了铜的硅化物的硅可以改进的产率得到三氯硅烷。
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公开(公告)号：CN101519205A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910008332.3
申请日：2009-02-26
申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： B01J19/24 , B01J19/0053 , B01J2219/00063 , B01J2219/00135 , B01J2219/00159 , C01B33/10757
摘要： 一种三氯硅烷制造方法及制造装置，将在多晶硅制造工艺中产生的高沸点氯硅烷类含有物(聚合物)和氯化氢混合并导入分解炉，在450℃以上、最好是在450℃以上～700℃以下的加热下使聚合物和氯化氢反应，最好是将对于聚合物混合了10～30质量％的氯化氢的气体导入分解炉而进行分解。
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公开(公告)号：CN1202454A
公开(公告)日：1998-12-23
申请号：CN98102302.9
申请日：1998-05-29
申请人： 瓦克化学有限公司
发明人： 路德维希·施密德哈默尔 , 克劳斯·哈泽尔瓦尔特 , 赫尔曼·克劳斯 , 阿尔宾·弗朗克
CPC分类号： C07C17/38 , C01B7/0712 , C01B33/10757
摘要： 本发明涉及一种纯制含甲烷之气态氯化氢的方法,其中,气态氯化氢在8—13bar的过压、－22至－36℃的温度下部分冷凝,分离除去气态组分,在蒸发后分离液化的氯化氢。本发明还涉及该方法产物在制造半导体材料中的应用。
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公开(公告)号：CN104203821A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380013989.3
申请日：2013-03-13
申请人： 森特瑟姆光伏美国有限公司
发明人： 马克·威廉·达塞尔
IPC分类号： C01B33/107 , B01J19/24 , B01J7/00
CPC分类号： C01B33/10763 , B01J8/003 , B01J8/1836 , B01J8/24 , B01J2208/00141 , B01J2208/00991 , B01J2219/00006 , B01J2219/0004 , C01B33/1071 , C01B33/10731 , C01B33/10757
摘要： 方法，其包括在包括250-400℃的温度和2-33barg的压力的反应条件下，在反应器中将氯化氢、冶金级硅和诸如四氯化硅的第三气体结合足够的时间以将冶金级硅转化为包含三氯甲硅烷的排出气。
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公开(公告)号：CN102791630B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201180013151.5
申请日：2011-03-01
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071 , B01D3/009 , B01D3/143 , C01B33/10757 , C01B33/10763 , C01B33/10778
摘要： 本发明将含有甲基二氯硅烷、四氯硅烷和三氯硅烷的混合物进行蒸馏，从而分馏出甲基二氯硅烷含有率比蒸馏前混合物高的馏分。并且加热该分馏的馏分，在甲基二氯硅烷和四氯硅烷间进行氯的再分配、从而将甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷。之后，将含有该甲基三氯硅烷的再分配后的馏分进行蒸馏纯化，从而分离出高纯度的三氯硅烷。甲基二氯硅烷(沸点41℃)因为沸点与作为蒸馏纯化对象的三氯硅烷的沸点(32℃)接近，因此难以除去。在本发明中，通过在与四氯硅烷之间进行氯的再分配来转化为甲基三氯硅烷(沸点66℃)，从而使除去变得容易。
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公开(公告)号：CN103620305A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280015287.4
申请日：2012-02-27
申请人： 赢创德固赛有限公司
IPC分类号： F23D14/12 , C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071 , B01J4/001 , B01J12/007 , B01J19/24 , B01J2219/00155 , B01J2219/00157 , C01B33/10757 , F23C3/002 , F27B17/0016 , F27D99/0035
摘要： 本发明的主题是将确定的燃烧器构造类型对反应器进行加热的应用，以用于转换氯硅烷，其中燃烧器具有喷射管，并且喷射管气密性地阻住火焰和火焰管，由此燃烧空气、气态的和/或液态的燃料、以及烟气不能进入反应炉的腔室内。其优点在于，使烟气与反应炉的真正的内室完全分开，即使在容纳氯硅烷的装置发生破损时，这也能使得在烟气潮气与氯硅烷之间不会发生严重的交互作用。这又使得可以使用气态的或液态的燃料来加热所述反应炉。避免了由于火焰直接接触而导致的局部过度热量输入，热量输入是均匀的。
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