一种REBCO准单晶生长工艺中控制液体流失的方法

    公开(公告)号:CN104790038A

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201510246415.1

    申请日:2015-05-14

    IPC分类号: C30B29/22 C30B11/14

    摘要: 本发明提供一种REBCO准单晶生长工艺中控制液体流失的方法,该方法采用镶嵌式籽晶的前驱体熔融织构制备REBCO准单晶,在制备工艺过程中,采用Fe2O3粉末作为铁掺杂与CeO2联合掺杂的REBCO准单晶的前驱粉体的组分,制备镶嵌式籽晶的前驱体,将镶嵌式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构生长工艺,获得REBCO准单晶;观察所述REBCO准单晶下方垫片的液体流失情况。本发明易于操作、完全重复可控,与传统的以RE123+1wt%CeO2的比例的制备方式相比,本发明可以有效控制液体流失,减少因液体流失对REBCO准单晶的生长速度及晶体完整性的影响,有利于研发人员进行物性研究及器件的应用开发。

    一种倒置生长REBCO块材的方法

    公开(公告)号:CN104233469B

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201410502707.2

    申请日:2014-09-26

    摘要: 本发明提供一种倒置生长REBCO块材的方法,包括:制备RE123相和RE211相的粉末;制备嵌入式籽晶前驱体:将RE123相和RE211相的粉末按RE123 +30mol%RE211+(0.3~1.5)wt%CeO2的比例混合均匀,再压制形成圆柱形的前驱体,并在压制过程中,将籽晶水平固定地嵌入前驱体上表面中央区域的内部,形成嵌入式籽晶前驱体;将嵌入式籽晶前驱体倒置放于未抛光的MgO基板表面,并置于生长炉中进行熔融织构法生长REBCO块材。本发明有效抑制前驱体的液体流失,减少组分偏离和自发形核的产生,防止污染,减少应力,进而有利于REBCO块材的制备。

    一种倒置生长REBCO块材的方法

    公开(公告)号:CN104233469A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410502707.2

    申请日:2014-09-26

    摘要: 本发明提供一种倒置生长REBCO块材的方法,包括:制备RE123相和RE211相的粉末;制备嵌入式籽晶前驱体:将RE123相和RE211相的粉末按RE123+30mol%RE211+(0.3~1.5)wt%CeO2的比例混合均匀,再压制形成圆柱形的前驱体,并在压制过程中,将籽晶水平固定地嵌入前驱体上表面中央区域的内部,形成嵌入式籽晶前驱体;将嵌入式籽晶前驱体倒置放于未抛光的MgO基板表面,并置于生长炉中进行熔融织构法生长REBCO块材。本发明有效抑制前驱体的液体流失,减少组分偏离和自发形核的产生,防止污染,减少应力,进而有利于REBCO块材的制备。