-
公开(公告)号：CN102899701A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210337502.4
申请日：2012-09-13
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）配置阳极氧化溶液；（3）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，而是使用磁控溅射的方法获得很薄的一层钛膜，并对此进行阳极氧化而获得高度有序的TiO2纳米管阵列。本发明操作简便，反应条件温和，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN102899701B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210337502.4
申请日：2012-09-13
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）配置阳极氧化溶液；（3）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，而是使用磁控溅射的方法获得很薄的一层钛膜，并对此进行阳极氧化而获得高度有序的TiO2纳米管阵列。本发明操作简便，反应条件温和，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN103318943A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310224302.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种花状ZnO纳米棒团簇的制备方法，该方法包括：(1)使用磁控溅射技术在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯ZnO薄膜；(2)配置生长花状ZnO纳米棒团簇的溶液；(3)将溅射有ZnO薄膜的Al2O3陶瓷片放在所配置溶液中，在烘箱中分两步进行化学溶解，获得花状ZnO纳米棒簇。该制备方法能够成功制得花状的ZnO纳米棒团簇，获得产物具有花状形貌以及高的比表面积和稳定性。本发明操作简便，反应条件温和，可用于大面积制备ZnO纳米棒团簇，适用于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN102817006A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210308708.4
申请日：2012-08-28
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法，该方法利用磁控溅射法，室温下在清洗干净的原子力显微镜探针（硅或氮化硅）上依次沉积Cr膜和Au膜；通过改变溅射时间改变Cr膜和Au膜的厚度，最终可得到表面覆有3~20nm铬膜和30~100nm金膜的原子力显微镜探针；可用于微观科学等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、成膜均匀、沉积速度快、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。
-
公开(公告)号：CN103318943B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310224302.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种花状ZnO纳米棒团簇的制备方法，该方法包括：(1)使用磁控溅射技术在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯ZnO薄膜；(2)配置生长花状ZnO纳米棒团簇的溶液；(3)将溅射有ZnO薄膜的Al2O3陶瓷片放在所配置溶液中，在烘箱中分两步进行化学溶解，获得花状ZnO纳米棒簇。该制备方法能够成功制得花状的ZnO纳米棒团簇，获得产物具有花状形貌以及高的比表面积和稳定性。本发明操作简便，反应条件温和，可用于大面积制备ZnO纳米棒团簇，适用于工业化生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102817006B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210308708.4
申请日：2012-08-27
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法，该方法利用磁控溅射法，室温下在清洗干净的原子力显微镜探针（硅或氮化硅）上依次沉积Cr膜和Au膜；通过改变溅射时间改变Cr膜和Au膜的厚度，最终可得到表面覆有3～20nm铬膜和30～100nm金膜的原子力显微镜探针；可用于微观科学等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、成膜均匀、沉积速度快、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。
-
公开(公告)号：CN103334141B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310222210.0
申请日：2013-06-05
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种双稀土掺杂TiO2纳米管有序阵列的制备方法，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列；（3）将TiO2纳米管阵列的陶瓷片浸泡在双稀土溶液中，利用水热法进行离子掺杂。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，并且能够将双稀土离子成功负载在二氧化钛纳米管的内部或表面，大幅度提高TiO2的光催化性能。本发明操作简便，反应条件温和，产物性质稳定，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN103334141A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310222210.0
申请日：2013-06-05
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种双稀土掺杂TiO2纳米管有序阵列的制备方法，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列；（3）将TiO2纳米管阵列的陶瓷片浸泡在双稀土溶液中，利用水热法进行离子掺杂。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，并且能够将双稀土离子成功负载在二氧化钛纳米管的内部或表面，大幅度提高TiO2的光催化性能。本发明操作简便，反应条件温和，产物性质稳定，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN103805953A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210456058.8
申请日：2012-11-14
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于金属氧化物半导体式传感器银电极和电阻的制备方法，该方法使用磁控溅射技术，室温下在清洗干净的Al2O3陶瓷基底上（覆盖上预先加工好的掩模板（图1））沉积Ag电极和电阻，通过调整溅射时间和功率来改变Ag电极和电阻的厚度，最终可得到50～500nm厚的Ag电极和电阻。由于十字交叉电极和迂回电阻可增加其与氧化物薄膜感应材料的接触面积；另外，磁控溅射法具有设备简单、价格便宜、成膜均匀、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。
-
公开(公告)号：CN103357886B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310267684.7
申请日：2013-06-28
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: B22F9/24
Abstract: 本发明涉及一种用于荧光传感器的贵金属纳米团簇制备方法，本发明先吸取新鲜鸡蛋中的鸡蛋清，用纯净水稀释，搅拌混匀。取稀释后的鸡蛋清，加入氯金酸（HAuCl4），充分混匀，再加入氢氧化钠，再次混匀，放置，就可制备成红色荧光的金纳米团簇。对于银和铂纳米团簇，同金纳米团簇的制备方法类似，只是在稀释后的蛋清中分别加入硝酸银和氯铂酸（H2PtCl6）。该工艺制备出的团簇大小相对均一，表面形貌一致，且具有非常强的荧光和超低检测灵敏度。本发明工艺简单新颖，材料简单，设备数量少，能耗低，便于推广，在疾病检测，气体吸附，化学催化，食品安全，光电子器件等领域具有广泛的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.066 seconds)
