含缺陷试样的制备及疲劳裂纹扩展真实路径还原方法

    公开(公告)号:CN112098168B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202010817886.4

    申请日:2020-08-14

    IPC分类号: G01N1/28 G01N3/08 G01N21/88

    摘要: 本发明提供含缺陷试样的制备及疲劳裂纹扩展真实路径还原方法,包括:制备设有热节的棒状铸件并加工成试棒;对试棒采用中断疲劳测试保存未断裂的试棒的疲劳裂纹及其扩展路径;将试棒沿加载方向进行切割,得到n个薄片试样;还原方法包括:分别对n个薄片试样进行测试;逐渐增大载荷,直到观察到中断疲劳测试前疲劳交变载荷下开裂的裂纹扩展路径并获取图片;再逐渐增加载荷直到断裂,原位观测裂纹扩展路径;对获得n张图片进行三维叠加处理,区分试棒中疏松缺陷、Laves相和碳化物,还原出含缺陷高温合金试棒中疲劳裂纹扩展真实路径。本发明使含缺陷高温合金疲劳裂纹扩展真实路径成为可能,为含缺陷高温合金铸件疲劳性能精准预测提供基础。

    含缺陷试样的制备及疲劳裂纹扩展真实路径还原方法

    公开(公告)号:CN112098168A

    公开(公告)日:2020-12-18

    申请号:CN202010817886.4

    申请日:2020-08-14

    IPC分类号: G01N1/28 G01N3/08 G01N21/88

    摘要: 本发明提供含缺陷试样的制备及疲劳裂纹扩展真实路径还原方法,包括:制备设有热节的棒状铸件并加工成试棒;对试棒采用中断疲劳测试保存未断裂的试棒的疲劳裂纹及其扩展路径;将试棒沿加载方向进行切割,得到n个薄片试样;还原方法包括:分别对n个薄片试样进行测试;逐渐增大载荷,直到观察到中断疲劳测试前疲劳交变载荷下开裂的裂纹扩展路径并获取图片;再逐渐增加载荷直到断裂,原位观测裂纹扩展路径;对获得n张图片进行三维叠加处理,区分试棒中疏松缺陷、Laves相和碳化物,还原出含缺陷高温合金试棒中疲劳裂纹扩展真实路径。本发明使含缺陷高温合金疲劳裂纹扩展真实路径成为可能,为含缺陷高温合金铸件疲劳性能精准预测提供基础。

    三元硅化物
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101050501A

    公开(公告)日:2007-10-10

    申请号:CN200710040751.6

    申请日:2007-05-17

    摘要: 一种三元硅化物,属于耐高温材料技术领域。本发明按原子百分比,本发明化合物的化学式为(Mo1-xNbx)Si2。所述的X,X=0、0.05、0.1、0.15,0.2、0.3、0.4,0.5,0.9。本发明的(Mo1-xNbx)Si2合金,克服了MoSi2低温韧性差与高温(>1200℃)抗蠕变性能不足,并且找到合适的成分点(Mo0.7Nb0.3)Si2使其高温抗氧化性能甚至优于MoSi2。通过系统性实验比较找到配比为(Mo0.70Nb0.30)Si2的合金材料在高温下的抗氧化性能优于MoSi2。本发明可应用于航空,汽车等高温材料技术领域。

    (MoxNb1-x)Si2电化学表面处理提高抗氧化性能的方法

    公开(公告)号:CN1936100A

    公开(公告)日:2007-03-28

    申请号:CN200610116285.0

    申请日:2006-09-21

    IPC分类号: C25D11/34 C25D11/26

    摘要: 本发明涉及一种材料表面处理技术领域的(MoxNb1-x)Si2电化学表面处理提高抗氧化性能的方法。本发明采用烧结的(MoxNb1-x)Si2多晶材料同时作为阳极和阴极材料,置于电解液中,在电压值为10V条件下处理5~12h,其中x=0~0.6。本发明中(MoxNb1-x)Si2材料经阳极氧化处理后,其抗氧化性能相对未处理前多晶样品和单晶样品在1023K时有明显提高。与添加合金元素或高温氧化相比,此方法工艺操作简单,成本低廉。

    金属材料微观组织演化的原位追踪分析方法

    公开(公告)号:CN115184349A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202110366922.4

    申请日:2021-04-06

    摘要: 本发明公开了一种金属材料微观组织演化的原位追踪分析方法,涉及原位微观组织分析技术领域,用以满足不均匀性材料原位组织对比观察。该方法包括以下步骤:在样品上作出第一标记;将带有第一标记的样品沿着样品的长度方向切割成多对样品片材,每对的两个样品片材相邻,并将每对样品片材的相对面作出第二标记,其中,将每对中的其中一个样品片材作为试验样品,另一个作为对照样品;对试验样品进行热处理;分别采用激光定位试验样品和对照样品的相对面;对激光定位后的试验样品和对照样品分别进行金相显微观察或扫描组织观察,拍摄视场照片并对比。上述技术方案实现了不均匀性材料原位组织对比观察。

    (MoxNb1-x)Si2电化学表面处理提高抗氧化性能的方法

    公开(公告)号:CN100545322C

    公开(公告)日:2009-09-30

    申请号:CN200610116285.0

    申请日:2006-09-21

    IPC分类号: C25D11/34 C25D11/26

    摘要: 本发明涉及一种材料表面处理技术领域的(MoxNb1-x)Si2电化学表面处理提高抗氧化性能的方法。本发明采用烧结的(MoxNb1-x)Si2多晶材料同时作为阳极和阴极材料,置于电解液中,在电压值为10V条件下处理5~12h,其中x=0~0.6。本发明中(MoxNb1-x)Si2材料经阳极氧化处理后,其抗氧化性能相对未处理前多晶样品和单晶样品在1023K时有明显提高。与添加合金元素或高温氧化相比,此方法工艺操作简单,成本低廉。

    一种热处理封装装置及热处理系统

    公开(公告)号:CN213977808U

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN202023103846.8

    申请日:2020-12-21

    IPC分类号: C21D1/773 C21D11/00 C21D9/00

    摘要: 本实用新型的一个目的在于提供一种热处理封装装置及热处理系统。为实现前述一个目的的热处理封装装置包括基座、真空封装单元以及测温组件。基座包括基座本体以及设置于基座本体上的固定单元,固定单元具有固定槽。真空封装单元一端插入固定槽中,内部封装有热处理试样,热处理试样位于该一端。测温组件包括测温单元以及接收单元,测温单元设置于固定单元中,并紧贴真空封装单元的该一端,实时接收测温单元所测得的温度并显示。