公开(公告)号：CN110246888A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910362625.5

申请日：2019-04-30

申请人： 上海功成半导体科技有限公司

发明人： 徐大朋 ,  梁欢 ,  黄肖艳 ,  薛忠营 ,  罗杰馨 ,  柴展

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法，所述超结器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的渐变外延层，形成于所述半导体衬底上；所述渐变外延层由具有两种以上组分构成的固溶体组成，且与所述半导体衬底具有不同的晶格常数；所述固溶体的组分比沿所述渐变外延层的厚度方向变化；第二导电类型的柱结构，形成于所述渐变外延层内，沿所述外延层的厚度方向延伸。本发明通过生长固溶体组分随厚度方向变化且与半导体衬底具有不同晶格常数的渐变外延层，使晶格缺陷在外延层厚度方向均匀可控，通过优化器件的反向恢复特性，实现在器件关断阶段载流子迅速减少的目的；本发明的工艺简单且成本较低，适于大规模生产。

公开(公告)号：CN110212030A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910362622.1

申请日：2019-04-30

申请人： 上海功成半导体科技有限公司

发明人： 徐大朋 ,  梁欢 ,  黄肖艳 ,  薛忠营 ,  罗杰馨 ,  柴展

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法，所述超结器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延层，位于所述半导体衬底的上表面，所述外延层与所述半导体衬底具有不同的晶格常数；第二导电类型的柱结构，位于所述外延层内，且沿所述外延层的厚度方向延伸。本发明通过生长与半导体衬底具有不同晶格常数的外延层，引入均匀可控的缺陷，增加载流子复合几率，降低载流子寿命，以优化超结功率器件的反向恢复特性，实现在器件关断阶段载流子迅速减少的目的；本发明提供的制备方法制备过程简单，成本较低，适于大规模制造。

公开(公告)号：CN110137245A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910364377.8

申请日：2019-04-30

申请人： 上海功成半导体科技有限公司

发明人： 徐大朋 ,  梁欢 ,  黄肖艳 ,  薛忠营 ,  罗杰馨 ,  柴展

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法，所述超结器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；外延叠层，形成于所述半导体衬底上；所述外延叠层包括至少两种沿所述外延叠层的厚度方向交替叠置的第一导电类型的外延层，且其中至少一种所述外延层具有与所述半导体衬底不同的晶格常数；第二导电类型的柱结构，形成于所述外延叠层中，且沿所述外延叠层的厚度方向延伸。本发明通过生长具有不同晶格常数的外延层，引入晶格缺陷，增加载流子复合几率，以优化超结功率器件的反向恢复特性；通过引入至少两种外延层交替叠置的外延叠层，得到均匀可控的缺陷分布。本发明所提供的制备方法工艺简单且成本较低，适用于大批量生产。