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公开(公告)号：CN113126687A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911390304.2
申请日：2019-12-30
申请人： 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供了一种新型高精度全周期输出开关电容带隙基准电压产生电路，以满足高精度增量ADC对参考电压精度的要求。本电路结构采用了双转单开关电容运算放大器结构，不仅消除了运放输入失调电压的影响，而且也减小了运放有限增益误差。此外还包括两个同样的开关电容带隙基准产生电路，但是其时钟周期互补，同时在各自的输出端串联一个选通开关，从而实现全周期带隙基准电压输出。
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公开(公告)号：CN113131932A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911391768.5
申请日：2019-12-30
申请人： 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC分类号： H03M1/06
摘要： 本发明提供了一种新型全差分多阶增益ADC失调电压和电荷注入消除技术，以提高增益ADC的分辨精度和减小量化误差。其中所述失调电压和电荷注入消除电路，包括多阶增量ADC开关电容积分电路，此外还包括用于控制积分时序的两相不交叠时钟电路，其输出时钟给开关电容积分电路，控制积分模块的时序；此外还包括逻辑控制模块，用于控制整体电路的工作时序以及产生消除失调电压和电荷注入的特定时序；此外还包括低输入失调的全差分量化器，用于量化积分电压，并控制积分输入电压的选择；此外还包括数字滤波器，对量化器输出进行量化，产生对应的二进制输出；此外还包括模拟地产生电路，用来给全差分运放提供输出共模电位。
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公开(公告)号：CN113125828A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911386660.7
申请日：2019-12-30
申请人： 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 本发明公开了一种新型的电流检测电路，与传统电流检测电路相比，特征在于在比较器，在分压电阻两端并联了两个电阻。采用这种方法，可以很大范围降低比较器输入端电压。从低压电流检测到低电压电流检测均将适用。此电路结构不仅适用于由分离元件构成的电路中，也适用于芯片中的电流检测。对于低压工艺的芯片，采用该技术可以检测高压电路中的电流。
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公开(公告)号：CN105097921A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410216631.7
申请日：2014-05-22
申请人： 上海北京大学微电子研究院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/10
摘要： 本发明公开了SOI功率VDMOS场效应晶体管结构及其制造方法，所述VDMOS器件包括SOI衬底和外延层；位于外延层上方的栅极，所述栅极包括栅氧化层和多晶硅层；位于外延层内的阱区，以及位于阱区内的源区；位于所述栅极下方、外延层内的离子掺杂区；位于器件表面的绝缘应变层；位于绝缘应变层之上的层间介质，以及金属通孔。本发明中，通过所述离子掺杂区以增加栅极氧化层相对的外延层内耗尽层的宽度，降低所述栅极多晶硅层和所述漏极金属层间的电容值，提高VDMOS的开关速度；通过在器件表面覆盖一层绝缘应变层，由于该绝缘应变层与半导体材料的晶格不匹配，将在半导体表面引入应力，进而改变半导体表面的晶格常数，使得载流子迁移率增加，导通电阻降低。
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公开(公告)号：CN113133159A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911390970.6
申请日：2019-12-30
申请人： 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC分类号： H05B47/10
摘要： 本发明提供了一种适用于发光二极管(LED)驱动的原边控制恒流实现电路，以消除传统恒流实现电路中的光藕和分离运算放大器。对于工作于不连续模式的芯片来说，原边控制技术直接在变压器的辅助绕组采样输出电压，用电路采样输出端续流二极管放电的时间和芯片的工作周期，通过设定这两个时间的比值为常数以实现恒流。其中所述原边控制电路包括：电流基准产生模块，电流镜模块，采集输出二极管放电时间的模块，采集芯片工作周期的模块和比较器模块。电流基准产生模块产生电流基准，电流镜模块镜像不同的电流对两个电容充电，这两个电容分别采集续流二级管放电时间和工作周期，当两个电容的电压相等的时候打开功率开关管以实现恒流。
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公开(公告)号：CN113131944A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911392641.5
申请日：2019-12-30
申请人： 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC分类号： H03M3/00
摘要： 本发明公开了一种新型的减少开关电容采样噪声的技术，基于开关电容的采样技术，与传统的采样技术相比，该发明通过额外增加一个采样阶段的电容，大幅度降低采样过程中由于开关电阻引入的热噪声，该热噪声往往是电路精度的瓶颈，另一方面，该额外引入的采样电容并不会对开关电容的积分阶段产生影响。
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公开(公告)号：CN113128161A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911392661.2
申请日：2019-12-30
申请人： 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC分类号： G06F30/39 , G06F30/20 , G06F111/06 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种集成电路封装的电、热特性协同设计方法与流程。其特征在于在设计阶段充分考虑封装设计的热、电学特性对集成电路性能的影响，同时与核心的集成电路设计进行协同优化，可以根据成本和实现复杂度等因素从封装设计和电路设计两方面优化系统性能，提高封装设计的灵活性。设计方法及流程主要包括封装的物理设计，电学参数提取，热学参数提取，集成电路设计，考虑封装和集成电路的混合模式仿真，输出满足设计要求的集成电路设计及封装的物理设计。
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公开(公告)号：CN113125829A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911392656.1
申请日：2019-12-30
申请人： 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 本发明公开了一种高精度片上功率管电流检测电路的新结构。该结构首先采集待检测MOS管的电流；采用片上MOS管检测结构，将采集到的电流进行三级以上缩小，获得检测电流，所获得的检测电流与MOS管上的电流有很好的相关线性度，精度高。该结构包括：电流采集模块，用于采集待检测MOS管的电流；片上MOS管检测模块，用于将电流采集模块采集的电流进行三级以上缩小，获得检测电流。
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公开(公告)号：CN113128167A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911392751.1
申请日：2019-12-30
申请人： 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC分类号： G06F30/398 , G06F119/08 , G06F119/14
摘要： 本发明提供了一种带宽可调的多矢量误差放大器，用以提高封装设计的灵活性、直观性和通用性，主要包括电学参数提取模块，电学参数自动优化模块；热学参数提取模块，热学参数自动优化模块；力学参数提取模块，力学参数自动优化模块；公共数据传输模块及公共数据优化模块。
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公开(公告)号：CN113125853A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911386695.0
申请日：2019-12-30
申请人： 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC分类号： G01R27/02
摘要： 本发明提出了通孔电阻测试结构及方法，以提高通孔电阻的测试精确度。该测试结构包括至少两个子测试结构，所述子测试结构是一条通孔链，包含有多个通孔单元及连接通孔单元的互连线，相邻两个通孔单元由互连线相连，所述同一个子测试结构中的通孔单元包含的通孔数相同，所述互连线由分别位于相邻两金属层上的互连线组成，且上下两层互连线在通孔连接处有重叠区域，所述各子测试结构在通孔单元的通孔数彼此不相同，所述各子测试结构的互连线部分完全相同。
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