公开(公告)号：CN116156894A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310139884.8

申请日：2023-02-21

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 曹俊 ,  吴兵 ,  陆涵蔚 ,  王炜 ,  刘庆华 ,  马润涵

IPC分类号： H10B43/30 ,  H10B43/00 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

摘要： 本发明提供了一种半导体器件的制备方法，提供衬底，所述衬底的正面上具有栅极结构，所述衬底内具有位于所述栅极结构两侧的源漏区；在所述衬底上形成金属叠层，所述金属叠层包括依次覆盖所述源漏区的金属钴层、金属钛层及氮化钛层；以及，对所述金属叠层及所述衬底进行退火工艺，以形成金属硅化物层。当对衬底及金属叠层进行退火工艺时，所述金属钛层及所述氮化钛层可以有效减少所述金属钴层内的金属钴离子向所述衬底内扩散，进而保证所述源漏区的纵向尺寸，避免器件失效。

公开(公告)号：CN102828165B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201110159172.X

申请日：2011-06-14

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 杨继业 ,  孙玲玲 ,  王炜

IPC分类号： C23C16/44 ,  G01M3/32

摘要： 本发明公开了一种高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法，在生产工艺步骤中增加腔体检漏工艺，腔体检漏工艺自动执行并实时报警；当腔体检漏工艺得到的测量结果超标时，高密度等离子体化学气相淀积设备发出警报并使生产工艺步骤停止执行；当腔体检漏工艺得到的测量结果正常时，生产工艺步骤继续执行。本发明能降低检漏的时间、提高设备的产能，能够使检漏的实施达到可控并能通过自动的规格管理来有效避免产品事故的发生，使产品的质量得到保证。