公开(公告)号：CN109385590A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201811294953.8

申请日：2018-11-01

申请人： 上海大学

发明人： 玄伟东 ,  兰健 ,  李永顺 ,  李传军 ,  任忠鸣

IPC分类号： C22F1/10 ,  C22F1/02 ,  C30B33/02 ,  C30B29/52

CPC分类号： C22F1/10 ,  C22F1/02 ,  C30B29/52 ,  C30B33/02

摘要： 本发明提供了一种单晶高温合金再结晶的控制方法，属于再结晶控制技术领域。包括以下步骤：在稳恒磁场和惰性气体的条件下，对发生形变的单晶高温合金进行时效处理，达到控制单晶高温合金再结晶的目的。形变产生的残余应力为再结晶提供驱动力；稳恒磁场通过无接触的方式作用于单晶高温合金的微观尺度，能够释放形变引起的残余应力，通过减少结晶驱动力抑制再结晶的形成；同时，再结晶形核通常基于γ′相的溶解重新析出，稳恒磁场还能抑制元素的扩散从而抑制再结晶的形核长大，进而达到控制单晶高温合金再结晶的目的。从实施例中可以看出，本发明的控制方法使得单晶高温合金的再结晶层为26～36μm，相比无磁场控制得到的再结晶层厚度大大减小。