公开(公告)号：CN109385590A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201811294953.8

申请日：2018-11-01

申请人： 上海大学

发明人： 玄伟东 ,  兰健 ,  李永顺 ,  李传军 ,  任忠鸣

IPC分类号： C22F1/10 ,  C22F1/02 ,  C30B33/02 ,  C30B29/52

CPC分类号： C22F1/10 ,  C22F1/02 ,  C30B29/52 ,  C30B33/02

摘要： 本发明提供了一种单晶高温合金再结晶的控制方法，属于再结晶控制技术领域。包括以下步骤：在稳恒磁场和惰性气体的条件下，对发生形变的单晶高温合金进行时效处理，达到控制单晶高温合金再结晶的目的。形变产生的残余应力为再结晶提供驱动力；稳恒磁场通过无接触的方式作用于单晶高温合金的微观尺度，能够释放形变引起的残余应力，通过减少结晶驱动力抑制再结晶的形成；同时，再结晶形核通常基于γ′相的溶解重新析出，稳恒磁场还能抑制元素的扩散从而抑制再结晶的形核长大，进而达到控制单晶高温合金再结晶的目的。从实施例中可以看出，本发明的控制方法使得单晶高温合金的再结晶层为26～36μm，相比无磁场控制得到的再结晶层厚度大大减小。

公开(公告)号：CN107673765A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710841007.X

申请日：2017-09-18

申请人： 上海大学 ,  中国航发商用航空发动机有限责任公司

发明人： 玄伟东 ,  任忠鸣 ,  赵登科 ,  刘利俊 ,  兰健 ,  李传军

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/591 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

摘要： 本发明公开了一种氮化硅陶瓷的制备方法，将碳化硅粉、烧结助剂、添加剂、粘结剂以及设定量的无水乙醇均匀混合形成混合浆料，将混合浆料进行球磨至少24h后，对混合浆料进行干燥，得到混合物粉末；再进行造粒，然后在不低于16MPa压力下进行干压成型，得到素坯；然后在氮气气氛条件下，并在不低于1750℃的烧结温度下，将素坯进行常压烧结，控制烧结保温时间不低于2h，完成烧结工艺后，再进行冷却，即得到氮化硅陶瓷材料。本发明方法能实现在常压下烧结制备氮化硅陶瓷，工艺简单，可操作性强，生产周期较短，制备成本低廉，所制备的氮化硅陶瓷强度高、抗热震性能好、热效率较高，便于大规模生产制造。

公开(公告)号：CN109097527A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201811294941.5

申请日：2018-11-01

申请人： 上海大学

发明人： 玄伟东 ,  兰健 ,  杜路发 ,  李传军 ,  任忠鸣

IPC分类号： C21D1/04 ,  C21D1/74 ,  C21D9/00

CPC分类号： C21D1/04 ,  C21D1/74 ,  C21D9/00 ,  C21D2201/04 ,  C21D2211/001

摘要： 本发明提供了一种定向及单晶高温合金的热处理方法，属于材料加工技术领域。在交变磁场和惰性气体下，将定向及单晶高温合金依次进行均匀化热处理、固溶处理、高温时效处理和低温时效处理。本发明在均匀化热处理、固溶处理和时效处理时加入交变磁场，能够促进金属元素的扩散，降低元素偏析，促使合金组织更加均匀，从而影响合金γ′相体积分数，提高定向及单晶高温合金力学性能。从实施例可以看出：经交变磁场热处理的定向及单晶高温合金组织分布均匀，γ′相呈立方体；显微硬度值为399.8～417.2HV，在950℃时抗拉强度为675.3～696.2MPa，延伸率为16.21～21.73％，断面收缩率为29.56～34.06％。