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公开(公告)号：CN1928166A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610029238.2
申请日：2006-07-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种在硅基片上通过间歇式循环工艺生长金刚石薄膜的方法，属无机非金属材料化学气相沉积工艺技术领域。本发明利用传统的、现有的热丝化学气相沉积装置，采用间歇压循环工艺生长金刚石薄膜的方法，即间歇性地通入氢气对金刚石薄膜进行刻蚀，以减少薄膜中石墨的含量；本发明方法可制得具有优良电学性能的、适合于制作探测器的金刚石薄膜材料。
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