公开(公告)号：CN102403209B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110353371.4

申请日：2011-11-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  庄晓凤 ,  曾庆锴 ,  潘潇雨 ,  黄健 ,  唐可 ,  张继军 ,  夏义本

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种基于金刚石薄膜场效应晶体管欧姆接触电极的制备方法。属于金刚石膜场效应晶体管器件制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备Ti-Pt-Au三层金属体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的三层Ti-Pt-Au欧姆电极是有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。

公开(公告)号：CN102386281A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110359607.5

申请日：2011-11-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  潘潇雨 ,  曾庆锴 ,  庄晓凤 ,  刘晟 ,  黄健 ,  唐可 ,  夏义本

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO/纳米晶金刚石薄膜异质结光电探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明主要特点在于采用高导电率的氢终端纳米金刚石薄膜作为p型层，并在此层上制备高质量的n型ZnO薄膜，从而得到ZnO/纳米晶金刚石异质结光电探测器件。本发明所得器件对350nm的紫外光具有明显的光电响应。相对于一般的ZnO/金刚石探测器，具有更好的pn结光电响应特性。

公开(公告)号：CN102403209A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110353371.4

申请日：2011-11-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  庄晓凤 ,  曾庆锴 ,  潘潇雨 ,  黄健 ,  唐可 ,  张继军 ,  夏义本

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种基于金刚石薄膜场效应晶体管欧姆接触电极的制备方法。属于金刚石膜场效应晶体管器件制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备Ti-Pt-Au三层金属体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的三层Ti-Pt-Au欧姆电极是有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。

公开(公告)号：CN102386281B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110359607.5

申请日：2011-11-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  潘潇雨 ,  曾庆锴 ,  庄晓凤 ,  刘晟 ,  黄健 ,  唐可 ,  夏义本

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO/纳米金晶刚石薄膜异质结光电探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明主要特点在于采用高导电率的氢终端纳米金刚石薄膜作为p型层，并在此层上制备高质量的n型ZnO薄膜，从而得到ZnO/纳米晶金刚石异质结光电探测器件。本发明所得器件对350nm的紫外光具有明显的光电响应。相对于一般的ZnO/金刚石探测器，具有更好的pn结光电响应特性。