公开(公告)号：CN113299800B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202110312954.6

申请日：2021-03-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐飞 ,  胡紫婷 ,  李跃 ,  王香 ,  舒鑫 ,  刘欣 ,  徐闰 ,  洪峰 ,  马忠权 ,  赵磊

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/032 ,  H01L31/08

Abstract: 本发明涉及一种双配体材料提高CsPbIBr2多晶膜质量以降低CsPbIBr2探测器暗电流的方法，特别的是，通过双配体材料在相对湿度低于60％的大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜，成功降低其探测器暗电流。基于本发明制备的CsPbIBr2多晶膜适用于紫外光电探测技术领域，并有望进一步应用于X射线探测器技术领域。本发明利用两种配体材料，通过对两种配体材料在钙钛矿前驱体混合溶液中的比例调控以及采用制备多晶膜的喷涂法，在大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜，降低了其探测器的暗电流并提高了光响应。本发明方法工艺简单，操作方便，成本低廉，适于工业生产。

公开(公告)号：CN113299800A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110312954.6

申请日：2021-03-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐飞 ,  胡紫婷 ,  李跃 ,  王香 ,  舒鑫 ,  刘欣 ,  徐闰 ,  洪峰 ,  马忠权 ,  赵磊

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/032 ,  H01L31/08

Abstract: 本发明涉及一种双配体材料提高CsPbIBr2多晶膜质量以降低CsPbIBr2探测器暗电流的方法，特别的是，通过双配体材料在相对湿度低于60％的大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜，成功降低其探测器暗电流。基于本发明制备的CsPbIBr2多晶膜适用于紫外光电探测技术领域，并有望进一步应用于X射线探测器技术领域。本发明利用两种配体材料，通过对两种配体材料在钙钛矿前驱体混合溶液中的比例调控以及采用制备多晶膜的喷涂法，在大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜，降低了其探测器的暗电流并提高了光响应。本发明方法工艺简单，操作方便，成本低廉，适于工业生产。

公开(公告)号：CN112786744B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202110177271.4

申请日：2021-02-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐飞 ,  李跃 ,  王香 ,  胡紫婷 ,  陆文庆 ,  洪峰 ,  徐闰 ,  马忠权 ,  赵磊

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/26 ,  H01L33/18 ,  H01L33/56

Abstract: 本发明公开了一种平面结构的二维全无机钙钛矿白光LED器件的制备方法，通过酸化学法、真空抽滤以及干法球磨工艺制备微米尺度的Cs3Sb2Cl9晶体粉末；使用真空沉积法，在石英衬底上制备得到大气环境稳定、结晶质量高、具有明显(110)取向生长的二维全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9薄膜；采用PMMA封装，制成含有TiO2/Cs3Sb2Cl9薄膜的石英基片和UVLED单元的平面结构的白光LED器件。本发明制备方法以步骤简单、成本低、过程可控为特点，可运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。

公开(公告)号：CN112786744A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202110177271.4

申请日：2021-02-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐飞 ,  李跃 ,  王香 ,  胡紫婷 ,  陆文庆 ,  洪峰 ,  徐闰 ,  马忠权 ,  赵磊

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/26 ,  H01L33/18 ,  H01L33/56

Abstract: 本发明公开了一种平面结构的二维全无机钙钛矿白光LED器件的制备方法，通过酸化学法、真空抽滤以及干法球磨工艺制备微米尺度的Cs3Sb2Cl9晶体粉末；使用真空沉积法，在石英衬底上制备得到大气环境稳定、结晶质量高、具有明显(110)取向生长的二维全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9薄膜；采用PMMA封装，制成含有TiO2/Cs3Sb2Cl9薄膜的石英基片和UVLED单元的平面结构的白光LED器件。本发明制备方法以步骤简单、成本低、过程可控为特点，可运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。